1) nano-Si
纳米微晶硅
2) nanocrystalline silicon
纳米晶硅
1.
Nanocrystalline silicon (nc Si) clusters can be formed by rapid thermal annealingthe hydrogenated amorphous silicon (a Si∶H) films at 600～620℃ for about 10s.
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所形成的 nc-Si在薄膜中的分布是随机的 ,直径在 1 。
2.
The nanocrystalline silicon clusters formed in thermally annealed a-Si:H films and the potoluminescence;
报道了氢化非晶硅薄膜在600-620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1。
4) Silicon nanocrystallites
纳米硅晶
5) Micro-nanostructured high-silicon aluminium alloys
微纳米晶高硅铝合金
6) nanocrystals
纳米微晶
1.
Nanocrystals in Urine and Its Relationship with Urinary Stone Formation;
尿液中的纳米微晶及其与尿石形成的关系
2.
Hexagonal boron nitride nanocrystals were prepared by reacting NaNH_2 and BCl_3 in the benzene thermal solutions.
以NaNH2和BC l3为原料,利用溶剂热方法合成了六方氮化硼纳米微晶,并用红外吸收光谱(FTIR)、X射线粉末衍射(XRD)方法分析了微粒的结构,利用透射电子显微镜(TEM)观测了BN微粒的粒度和微观形貌。
补充资料：纳米晶硅
分子式：
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
CAS号：
性质：又称纳米晶硅。晶粒在10nm左右的多晶硅材料。其性质不同于大晶粒多晶硅，又不同于非晶硅。带隙可达2.4eV(晶体硅为1.12eV)，电子和空穴迁移率均高于非晶硅两个数量级以上。光吸收系数介于晶体硅和非晶硅之间。采用辉光放电化学气相沉积法，减压化学沉积法，磁控溅射法，非晶硅热处理法等制备。可用作太阳电池窗口材料、异质结双极型晶体管、薄膜晶体管等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条