1) gate absorption circuit
门极吸收电路
2) absorbing circuit
吸收电路
1.
This article introduced the antijamming in the NC system design,from the shield(including electric field shield,magnetic screen and electromagnetic field shield) designs mentions,added the absorbing circuit to the perceptual load to suppress the transient state noise to give the specify,might avoid the NC system which disturbed creates softly breakdown.
本文介绍了抗干扰在数控系统中的设计,从屏蔽(包括电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽)设计谈起,对感性负载加吸收电路来抑制瞬态噪声做了详细说明,可避免干扰造成的数控系统的“软”故障。
3) absorption circuit
吸收电路
1.
The reasons of dynamic voltage unbalancing of serial IGBTs are concluded : the differences in the absorption circuit parameters, the time-delays of gate driving signal and the gate driving circuit parameters.
设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpice仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的。
4) snubber circuit
吸收电路
1.
Simulation design of snubber circuit based on P-N junction reverse recovery;
基于P-N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计
2.
Study of delta snubber circuit of GTO converter;
GTO变流器Δ型吸收电路的研究
3.
The causes are discussed from the inner structure of IGBT and the typical countermeasures are summarized,including soft-switching,snubber circuit and new switching component.
从IGBT的内部结构特点出发,讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因,整理了目前国内外常用的一些处理措施,包括软开关技术、吸收电路技术以及研制新的开关元件等。
5) snubber
[英]['snʌbə] [美]['snʌbɚ]
吸收电路
1.
A passive snubber circuit with constant energy recovery ratio for high power inverters;
一种具有恒定能量回馈的吸收电路
2.
A double-differential-gate-drive circuit,in conjunction with a loss-less snubber reduces the switching loss of semiconductor devices,especially .
用一个双微分门极驱动电路和一个无损耗缓冲吸收电路共同抑制IGBT的开关损耗,特别是抑制IGBT拖尾电流产生的损耗。
3.
The experimental result shows that only a capacitor with low inductance is applicable as a snubber for IGBT invertors rated 50kVA.
从接地、屏蔽、吸收电路和减少引线电感等方面介绍了该逆变器的电磁兼容性设计。
6) GTO absorber circuit
GTO吸收电路
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条