1) Semiconductor diode laser array
半导体二极管激光列阵
3) laser diode array
半导体激光列阵
1.
High output power was achieved by using the coupling technique of a laser diode array(LDA) and a micro-lensed fiber.
根据808 nm大功率半导体激光列阵(LDA)的远场光场的分布特点,利用多模光纤柱透镜和光束转换装置对808 nm半导体激光列阵的发散角进行压缩整形,通过聚焦准直透镜将激光束耦合进入芯径为400μm的光纤,实现了30W的功率输出,其中最大耦合效率大于80%,光纤的数值孔径(NA)为0。
2.
The principle of this technique is as follows: first linearly arranged beams are changed into circularly arranged beams by a fiber array so that the beam symmetry of a laser diode array can be greatly improved;then the circular laser beam from the fiber array is coupled into a single thin fiber by a micro-lens to reduce the beam diameter and improve its brightness.
首先借助光纤列阵实现光束由线性排列到圆形排列的转换,从而有效提高半导体激光列阵输出光束的对称性;然后通过微透镜将光纤列阵输出的圆对称光束耦合进入一根较细的光纤,以进一步压缩光斑直径并提高光束亮度。
3.
High-power laser diode arrays are difficult to use directly in such fields as military, industry, and medicine because of their extremely asymmetric divergent beams (θ_x≈5°～10° and θ_y≈20°～35° ), i.
半导体激光列阵的输出光束有较大的发散角和较强的不对称性,极大地限制了其在各领域中的应用。
4) semiconductor array laser
半导体阵列激光
5) semiconductor laser array
半导体激光阵列
1.
Separate heat source profile basing on structure of semiconductor laser array is applied in thermal resistance calculation of microchannel heatsink as boundary condition.
针对现有高光束质量大功率半导体激光阵列内部发光单元条宽、填充因子不断减小,腔长不断增加的发展趋势所带来的热源分布及长度变化影响器件热阻的问题,利用分离热源边界条件结合商用计算流体力学(CFD)软件FLUENT进行数值计算,获得微通道热沉热阻随阵列器件发光单元条宽、空间位置变化关系以及不同阵列腔长对应的微通道优化长度。
6) laser diode array
激光二极管阵列
1.
Wavelength beam combining of laser diode array to get 20 W CW circle spot emission
808nm激光二极管阵列波长光束组合20W输出
2.
Alaser diode array end pumped high power orange yellow continuous wave Nd :YVO4dual-wavelength laserwithintracavity sum-frequency mixing was demonstrated.
研制了一种由激光二极管阵列端面泵浦的Nd∶YVO4晶体腔内双波长和频连续波大功率橙黄光激光器。
3.
Linewidth-narrowed,tunable spectrum can be obtained by external cavity feedback laser diode array(LDA).
外腔反馈的激光二极管阵列(LDA)可获得窄线宽、可调谐的光谱输出。
补充资料：半导体二极管
半导体二极管
semiconductor diode
bondootle丁llgUon半导体二极管(semieonductor diode)具有两个电极和不对称电流一电压特性的双极型半导体器件。它的主要特点是具有单向导电性。所用的材料有硅、锗和化合物半导体。利用不同的材料，不同的掺杂浓度，不同的几何结构，可以制成不同用途、特性各异的半导体二极管。 分类按结构不同可分为点接触型半导体二极管和面接触型半导体二极管。①点接触型:由一根金属丝与半导体表面相接触形成的势垒而构成PN结，外加引线、管壳封装而成，如图1(a)所示。因其PN结面积小，结电容小，故适用于高频电路中，工作频率可达几百兆赫，但不能通过较大的电流，因而多用于高频的检波电路、混频电路中。肖特基二极管也是点接触型二极管，它的开启电压低，电荷存储效应小，能工作在更高的频率。②面接触型，如图l(b)、(。)所示。由于PN结的面积大，结电容大，故可通过较大的电流，适用于低频的整流电路中。攫鹭口 (a)P型扩散层/引线┌───────┐│卜\、门.卜火日│├───────┤│以以\ ││N型硅 │└───────┘图1半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型;(b)面接触型;(c)平面型;(d)图形符号工作原理半导体二极管的核心是PN结。利用掺杂工艺使同一半导体(如本征硅半导体)的一侧形成P型半导体，在另一侧形成N型半导体。P型半导体内空穴很多(称多子)，电子很少(称少子);N型半导体内电子很多(称多子)，空穴很少(称少子)。这样，在P型和N型半导体的交界处的区域内将形成PN结。P型侧的引线为二极管的阳极，N型侧的引线为二极管的阴极。 PN结的形成如图2(a)所示，在P型半导体和N型半导体的交界处，P型一侧的空穴浓度高，N型一侧的空穴浓度低。这种浓度差，导致空穴从P型侧向N型侧扩散，于是，P型侧在交界处便失去空穴，却留下带负电荷的负离子，如图2(a)中的“O”所示。由于浓度差造成的载流子移动称为扩散运动。同理，电子 (a，户户.。
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参考词条