1) high electron mobility transistor
异质结场效应晶体管
1.
The III-V nitrides AlGaN has received a lot of attention recently as one of the important wide band gap semiconductor materials for fabricating optoelectronic components such as ultraviolet photodetectors,heterostructure field effect transistors,and high electron mobility transistors.
作为制备光电子器件例如紫外光子探测器、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结场效应管等的一种宽禁带半导体材料,Ⅲ-V族氮化物AlGaN器件近年来颇受关注。
2) HFET
异质结场效应晶体管
1.
The progress in development of GaN based Heterostructure FETs(HFETs)is reviewed.
回顾了氮化镓 ( Ga N)基异质结场效应晶体管 ( HFET)的发展 ,概述了它的直流和微波特性。
3) p-channel HFET
p沟异质结场效应晶体管
4) dual material gate field effect transistor(DMG MOSFET)
异质双栅场效应晶体管
5) heterojunction CMOS FET
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
6) HFET
异质结场效应管
补充资料：异质
1.特异的资质﹑禀赋。 2.指某种材料的特异质地。比喻才能出众的人。 3.不同资质。 4.指形体不同。
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参考词条