1) neuron MOS devices
神经元MOS器件
2) neuron MOS
神经元MOS
1.
Based on the basic structure and the principle of neuron MOS, the device is simulated with HSPICE using the equivalent circuit model and the "variable threshold" characteristics of the device is obtained.
在神经元MOS的基本结构和工作原理的基础上,使用器件的等效电路模型通过HSPICE仿真软件对器件进行模拟,给出了器件的转移特性曲线,得到了器件的"可变阈值"特性,并介绍了该器件在CDMA匹配滤波器及数字PWM发生器中的应用。
2.
For this reason, a new voting circuit on neuron MOS is researched, suit for the case of variables greater than 4.
用多数表决电路解决图像处理中孤立噪声处理是比较直接而且可靠的方法 ,但是 ,随着变量数的增多 ,电路的规模急剧增大 (呈指数规律 ) ,而少变量的表决电路 (变量数小于 4 )在孤立噪声处理中又没有实用价值 ,为解决该问题 ,提出了一种新型神经元MOS多数表决电路 ,它更适用于变量数大于 4的情况。
3) neuron chip
神经元器件
1.
Port extension technique research of neuron chip FT3150 based on I~2C bus;
基于I~2C总线的神经元器件FT3150的端口扩展
4) neuron MOS circuit
神经元MOS电路
1.
A design method for binary neuron MOS circuits employing a summation signal with multiple values is presented.
提出一种通过引入多值求和信号指导设计二值神经元MOS电路的方法。
5) neuron digital device
神经元数字器件
补充资料：神经元形态中枢神经系统内轴突髓鞘的形成示意图
李瑞端绘
[图]
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条