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1)  equivalent oxide thickness
等效氧化层厚度
1.
The equivalent oxide thickness (EOT) of an HfO_2 high k dielectric is extracted in two steps.
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT)。
2.
By complementing the equivalent oxide thickness (EOT) of a 1.
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备。
2)  oxide thickness effect
氧化层厚度效应
3)  oxidation thickness
氧化层厚度
4)  Equivalent unit-thickness layer
等效单位厚度层
5)  gate-oxide-thickness
栅氧化层厚度
1.
This paper presents a method based on dual-gate-oxide-thickness assignment to reduce the total leakage power dissipation of SRAM in 45nm bulk technology.
提出了一种在45nm体硅工艺下使用双-栅氧化层厚度来降低整体泄漏功耗的方法。
6)  measurement of oxide layer thickness
氧化层厚度测试
补充资料:等效厚度法
分子式:
CAS号:

性质:为克服带电粒子核反应中截面随粒子入射距离而变这一困难而提出的一种刻度方法。等效厚度是一个虚构的物理量,它规定在这个厚度内反应产物放射性分布均匀。可用绘制活化曲线定出等效厚度。也可用相对法给出。

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参考词条