1) Fowler-Nordheim(F-N) tunneling
FOWLER-NORDHEIM(F-N)隧穿
2) Fowler-Nordheim-like tunneling
类Fowler-Nordheim隧穿
3) Fowler-Nordheim
Fowler-Nordheim隧穿效应
1.
Under the assumption that the charge loss mechanism is Fowler-Nordheim tunneling through the thin oxide,the data retention time of EEPROM cells is derived,and the experience formula is check.
在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式。
4) Fowler-Nordheim(F-N) formula
Fowler-Nordheim(F-N)公式
5) Fowler Nordheim
Fowler-Nordheim
6) enhanced F-N tunneling
增强F-N隧穿
1.
A novel flash memory cell with stacked structure (Si substrate/SiGe quantum dots/tunneling oxide/poly-Si floating gate) is proposed and demonstrated to achieve enhanced F-N tunneling for both programming and erasing.
提出了一种用于半导体闪速存储器单元的新的Si/Si Ge量子点/隧穿氧化层/多晶硅栅多层结构,该结构可以实现增强F-N隧穿的编程和擦除机制。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
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参考词条