1) metamorphic high electron mobility transistor(MHEMT)
改性高电子迁移率晶体管
2) MHEMT
改变结构高电子迁移率晶体管
1.
Fabrication and performance of GaAs based InAlAs/InGaAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor (MHEMT) were reported.
报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。
4) HEMT
高电子迁移率晶体管
1.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
2.
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy;
RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)
3.
With the development of communication technology,the gate length of HEMT becomes shorter and shorter,and the previous speed-field analytical formula can not accurately describe this change.
通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型。
5) HEMTs
高电子迁移率晶体管
1.
A New Method for InGaAs/InP Composite Channel HEMTs Simulation;
一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法(英文)
6) high electron mobility transistor
高电子迁移率晶体管
1.
A new small signal physical model of InP-based composite channel high electron mobility transistor;
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型
2.
48As high electron mobility transistors (HEMTs) with a cutoff frequency (fT) as high as 218GHz are reported.
48As高电子迁移率晶体管。
3.
Density gradient quantum model has been used to analyse the breakdown characteristic of InP-based composite channel HEMT(high electron mobility transistor).
用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性,考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应,重点研究了器件击穿电压随In0。
补充资料：高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
高电子迁移率晶体管（highmobilitytransistor）
利用异质结或调制掺杂结构中二维电子气高迁移率特性的场效应晶体管。其低温、低电场下的电子迁移率比通常高质量的体半导体的场效应晶体管高1000倍，可实现高速低噪音工作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条