1) pulsed KrF laser deposition
KrF准分子脉冲激光沉积
2) KrF excimer pulsed laser
KrF准分子脉冲激光
1.
AlN thin films with dominant crystalline structure were prepared on Si(111) substrate at low temperature (200℃) with a KrF excimer pulsed laser by varying the deposition conditions.
用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。
3) KrF excimer laser pulses
KrF准分子激光脉冲
4) pulsed excimer laser deposition
脉冲准分子激光沉积
5) pulsed laser desposition
准分子脉冲激光沉积
6) WO_3(V)thin films
脉冲准分子激光沉积(PLD)
补充资料：准人
1.古代狱官，掌管司法刑狱的官。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条