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1)  surface atom relaxation
表面原子驰豫
2)  surface relaxion
表面驰豫
3)  thermal relaxation at the material interface
界面热驰豫
4)  interface relaxation polarization
界面驰豫极化
1.
The main features of capacitance frequency curve recognize that the capacitance dispersion region results from the mechanism of interface relaxation polarization.
由电容频谱曲线的主要特征判断,界面驰豫极化机制主导这一电容弥散区。
5)  relaxation [英][,ri:læk'seɪʃn]  [美]['rilæk'seʃən]
驰豫
1.
Orientational relaxation of C_(60) researched by extremal dynamic model;
C_(60)取向驰豫的极限动力学研究
2.
The equation describe the existences of the resonance states and the relaxation.
导出并求解了跃迁几率振幅的运动方程,该方程正确描写了共振态的存在和驰豫现象。
3.
And we will study the influence of the quantum dimsension effect to the relaxation construction in the item.
项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响。
6)  adatom [æ'dætəm]
表面原子
1.
Study on the influence of three-dimensional Cu(111) islands on the diffusion of adatom by molecular dynamics simulation;
Cu(111)三维表面岛对表面原子扩散影响的分子动力学研究
2.
The study on diffusion barriers of adatom and local pressure of the atoms in the substrate at atomic level will reveal the physical nature of film growth which will be of great significance in both the development of equipments of thin film and the invention of new thin film materials.
表面原子的扩散是薄膜科学研究的重点内容之一。
补充资料:辐射驰豫(radiationrelaxation)
辐射驰豫(radiationrelaxation)

分子从能量较高的激发态通过弛豫过程回到基态并发射光子的衰变过程。辐射弛豫包括二种过程:荧光(fluorescence)和磷光(phosphorescence)。当一个分子从其最低单线激发(S1)自发地发射光子回到基态(S0),即S1→S0,此辐射弛豫称荧光,它常发生在激发后的10-8~10-9s;若一个分子从最低三重态(T1)自发的发射光子回到基态,即T1→S0,此辐射弛豫过程称磷光。磷光的波长比荧光的要长。

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