1) PLT seeding layer
钛酸铅镧晶种层
2) PLT
镧钛酸铅
1.
The results show that the crystalline temperature of PLT gel is about 500℃,the size of the powders is about 30nm when heated temperatures at 650℃ for 2h.
采用溶胶－凝胶法制备掺镧钛酸铅（ＰＬＴ）纳米晶，分别用Ｘ射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪和差热扫描量热分析仪对其晶化温度、结构、形貌特性进行了分析测试。
4) lead lanthanum zirconate stannate titanate
锆钛锡酸铅镧晶体
5) PLZT
锆钛酸铅镧
1.
Preparation and Properties of PLZT Thin Films;
锆钛酸铅镧薄膜的制备与性能研究
2.
PLZT films have many significant applications in the ferroelectric integrated fields such as ferroelectric random access memories (FeRAM), dynamic random access memories (DRAM), etc.
锆钛酸铅镧铁电薄膜(PLZT)由于具备许多优良的铁电、介电性能、压电效应和电光效应等物理性能,被广泛的应用于动态随机存储器DRAM、非挥发性存储器FeRAM等铁电集成领域。
3.
Polycrystalline dysprosium (Dy) doped lanthanum zirconate-titanate (PLZT) ceramics with compositional formula [Pb0.
针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0。
6) PLT
掺镧钛酸铅
1.
Ferroelectric lanthanum-doped lead titanate (PLT) thin films have been fabricatedon Si(100)substrates by RF magnetron sputtering.
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜。
2.
1))TiO_3,PLT10],were grown by RF magnetron sputtering,on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates under the same growth conditions,respectively.
采用射频磁控溅射技术,使用相同的工艺条件在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
3.
1))TiO_3,PLT10]ferroelectric thin films were grown on Si(100) and Pt/Ti/SiO_2/Si(100) substrates by RF magnetron sputtering.
采用射频磁控溅射技术在Si(100)基底和Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上生长了掺镧钛酸铅[(Pb0。
补充资料：钛酸锶基晶界层电容器陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
CAS号：
性质：一种以钛酸锶晶粒为主晶相具有高绝缘性晶界的陶瓷材料。属钙钛矿型结构。用于制作界层电容器。制备时有两种烧结工艺：二次烧成型和一次烧成型。二次烧成型是在1400℃还原气氛(氨和氢气)下烧结，再在1200℃下在空气中进行晶界绝缘化处理；一次烧成型是把烧结和晶界绝缘化处理合并一次烧成。一次烧成型电容器的表观介电常数可达4万以上，二次烧成型可达10万以上，两者体积电阻率ρ>1010Ω·cm，介质损耗角正切tgδ<1.5％，电容温度变化率△C/C<±15(-30～+85℃)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条