1) crystal switch
晶体开关
2) Q switching crystal
Q开关晶体
3) Switch transistor
开关晶体管
1.
Some failures of 3DK9 switch transistors with higher surface leakage current were analyzed.
针对3DK9开关晶体管在应用中出现表面漏电失效的具体案例进行分析研究。
2.
It also describes a successful application in fast diode, switch transistor and fast SCR.
本文较全面地介绍了高能１２ＭｅＶ电子辐照技术的原理、方法、特点以及在快速二极管、开关晶体管，快速可控硅中成功的应用。
5) Saturable absorbtion Q switch
被动Q开关晶体
6) reversely switched dynistor
反向开关晶体管
1.
In order to produce and control high repetitive pulses of pulse width at μs,ns and power beyond MW,a new structure of great power and super high speed semiconductor switch reversely switched dynistor(RSD) applied to laser diode (LD) pulsed source was researched.
研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条