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1)  A-Si TFT
非晶硅薄膜晶体管
1.
New Type a-Si TFT Used as Room Temperature Infrared Detector;
用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管
2)  amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
3)  a-Si:H TFT
氢化非晶硅薄膜晶体管
4)  a-Si TFT-LCD
非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
1.
OKI MSM5280-5283 series LCD driver ICs with analog mode are most suitable for driving our developed a-Si TFT-LCD panel.
模拟信号驱动方式的OKIMSM5280—5283系列LCD驱动IC,非常适合于我们所研制的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(a-SiTFT-LCD)。
5)  a-Si thin film
非晶硅薄膜
1.
An a-Si thin film diodes with big current densities and high on/off ratios was presented by PECVD technology.
报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。
6)  a-Si:H film
非晶硅薄膜
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条