1) low k dielectric materials
低k介质材料
2) low-k dielectric
低k介质
1.
The critical role of Cu/low-k dielectrics interconnections instead of conventional Al process played in the IC fabrication was demonstrated.
阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。
2.
The chemical-mechanical global planarization mechanism to the common low-k dielectric material is analyzed.
针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
3.
Current study and development of low-k dielectric constant materials are introduced.
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
3) low-k material
低k材料
1.
The role and characterizations of low-k materials in IC circuits were introduced,and the interrelation between copper and low-k materials were analyzed to identify five materials including SiO2,SiOF,SiOCSP,SiOCNSP,SiOCSO as study objects.
阐述了低k材料在IC电路中的作用及其性质,以SiO2、SiOF、SiOCSP、SiOCNSP、Si-OCSO五种材料为研究对象,分析了低k材料与Cu互连工艺的相互联系和作用。
2.
Accurate characterizations of low-k materials are very important in semiconductor manufacturing process.
使用一种结合了Forouhi-Bloomer离散方程组和宽光谱分光光度法的新方法,对低k薄膜进行光学表征,得到薄膜的折射率n、消光系数k和膜厚d,并将结果与椭偏仪的测量进行比较,证明了使用F-B方程在半导体工艺中精确表征低k材料的能力和这种方法快速无损的优点。
4) low sintering material
低烧介质材料
5) ultra low k dielectrics
超低k介质
6) Cu/low k Dielectric Film
铜/低k材料
补充资料：二氧化硅薄膜介质材料
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
CAS号：
性质：一种高纯氧化膜。具有介电性能稳定、耐潮性好、电容温度系数小和介质损耗角正切值小等优点。介电常数3.67～5.90，tgδ<2×10-4，击穿电压大于50V。采用电子束蒸发法、射频溅射法、热氧化法等制取，主要用于制作半导体混合集成电路和薄膜集成电路的MOS电容器和隔离绝缘层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条