1) MOCVD
金属有机化学蒸发沉积物(MOCVD)
2) metal organic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
3) metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)
金属有机物化学气相淀积(MOCVD)
1.
36N multiple quantum wells(MQWs)structure for deep ultraviolet emission has been grown on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0。
4) metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)
金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)
5) MOCVD
金属有机化合物化学气相沉积
1.
Ir/C cluster films were prepared by MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition) on quartz plate substrates using iridium-acetylacetonate as the precursor.
以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。
6) MOCVD
金属有机化学气相沉积
1.
The Influential Factors of MOCVD Growth of InP in Opals;
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
2.
Latest progress on preparation of ferroelectric thin films prepared by MOCVD process;
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展
3.
The deposition process was carried out in nitrogen by atmospheric pressure metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) with aluminum-tri-sec-butoxide(ATSB) as the precursor.
以仲丁醇铝(ATSB)为前驱物、氮气为载气,用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在HP40钢表面沉积了Al2O3薄膜。
补充资料：金属有机化合物化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条