1) oil well's parameters measurement
油井参数测量
2) oil well parameterssurvey
抽油井参数测量
5) logging parameters
测井参数
1.
Inversion of multi-logging parameters under constrain of relative wave impedance data volume and application.;
相对波阻抗数据体约束下的多井测井参数反演方法及应用
2.
In the past, the prediction of the reservoir production capacity by logging parameters was based on a single testing well.
过去人们利用测井参数对储层产能的预测都是基于单层测试资料。
3.
The causes producing logging parameters and containing water of the low resistance reservoir are analyzed.
对孤东油田七区西馆陶组下段低电阻率油层特征进行了研究 ,分析了造成低电阻率油层的因素、测井参数特征及含水率的影响 ,探讨了该区低阻油层分布规律和开发过程中需要注意的问题。
6) logging parameter
测井参数
1.
The signature recognition of comprehensive logging parameters in sedimentary microfacies of clastic reservoirs.;
碎屑岩油气藏沉积微相的测井参数特征识别研究
2.
The optimum DSM logging parameters are summarized through a large number of logging practices in order to conlribute to the application and popularization.
总结出最佳的DSM测井参数,有利于MRIL—C的推广应用。
3.
, the authors expound that, as a method of nonlinear inversion, Seimpar Inversion could carry out wave impedance inversion without using convolution equation, and also inverse logging parameter by seismic records under the logging constrained.
在对人工神经网络、分形分维等非线性方法研究的基础上,阐述了Seimpar测井参数反演技术,它是一种非线性反演方法,既可以避开褶积公式进行波阻抗反演,又可以在井约束下用地震记录反演测井参数曲线。
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条