1) Dynamical random neural network(DRNN)
动态随机神经网络
2) random neural network
随机神经网络
1.
Improved algorithm research of optimization solution with random neural network;
用随机神经网络优化求解改进算法的研究
2.
Solving C-TSP with random neural network;
用随机神经网络优化求解C-TSP
3.
A novel approach to the real-time speech quality evaluation in a packet network using feed-forward multiple class random neural network(FFMCRNN) was presented.
提出了一种利用前馈随机神经网络在分组网络中进行实时语音质量评价的新方法。
3) random neural network(RNN)
随机神经网络(RNN)
5) dynamic neural network
动态神经网络
1.
Power system short-term load forecasting based on empirical mode decomposition and dynamic neural network;
基于经验模态分解与动态神经网络的短期负荷预测
2.
AUV heading adaptive control based on the dynamic neural network
基于动态神经网络的AUV航向自适应控制
3.
According to its characteristics,the equipment technique condition is reconstructed in the phase space and then the forecasting model is built up with dynamic neural network.
根据装备技术状态的特性,使其在相空间里重构,然后利用动态神经网络建立装备技术状态预测模型,并以装备振动信号预测为例进行案例研究,验证了利用动态神经网络进行预测的可行性和优越性。
6) Dynamic neural networks
动态神经网络
1.
Propose a new approach to generate chaos via dynamic neural networks according to inverse optimal control for nonlinear systems.
根据逆最优控制方法,针对非线性系统,提出了利用动态神经网络产生混沌的一种新方法。
2.
In this paper a learning and identification scheme for a class of unknown multivariable nonlinear system using dynamic neural networks (DNN) is presented.
研究了一类基于动态神经网络的未知非线性多变量系统的鲁棒辨识问题。
3.
In chapter one of this paper,neural networks development history is summarized and emphasis is current development situation of dynamic neural networks.
神经网络的研究至今已有近40年的历史，本文在第一章绪论中综述了神经网络的发展历史，并重点论述了动态神经网络的发展现状及趋势。
补充资料：动态随机存取存储器芯片
动态随机存取存储器芯片
dynamic random access memory chip,DRAM
丽爪厂-.亡再再—A一A饭二加肋姗娜再生地址丽爪厂几一J一-骊一一一几..…厂一~A0一Al二厂一1川功功留 行地址列地址(a) 图4(a)仅豆丽方式; (b)(e)DRAM的别新方式(b)亡丽在前方式;(c)隐含方式出数据有效的时间。目前有120，100，70，60ns等种类，在DRAM产品上分别用一12，一10，一7，一6表示。实际使用时列地址读出时间t优也很重要，它是由石店下降边到读出数据有效的时间，通常为40ns一ZOns。由于列选读出时间比行选读出时间小得多，而行选工作时，选中行线所有单元存储的数据均输出到列数据寄存器;因此】〕RAM可以选择快速工作方式，即在瓦骊变为低后，连续访问已选中行的不同列的存储单元。在快速工作方式下同样可有读出、写入和读一改写操作。有三种快速工作方式，即页面方式、半字节方式、列静态方式，最常用的是页面工作方式。 (1)页面方式豆后为低时，石店连续输人页脉冲。用〔骊污下降边锁存由地址线输人的不同的列地址，从而访问同一行地址、不同列地址的存储单元。由于不需每次访问都由豆入弓变低开始，因而后面的访问读出时间和周期可大大缩短。 (2)半字节方式豆丽为低时，第一个硕丽下降边锁存由地址线输人的第一个列地址。以后的三个亡丽下降边锁存内部自动加一的列地址。这样可快速访问行地址相同、四个列地址连续的存储单兀。 (3)列静态方式当瓦店为低时，石店的下降边锁存第一个列地址，读出其数据(或进行其它操作)，然后厄丽和瓦活维持低电平。通过改变地址线输人的列地址来改变要访间的存储单元，这时的控制类似于.态随机存取存储器芯片的操作。 初期的1〕RAM是PMC6工艺制作的，但广泛使用的是NMC6和CMC6DRAM。由于静态功耗的限制，NMC61〕RAM目前只做到256 kb。随着CNI(万微细加工技术的高度发展，CMC6DRAM已达到64 Mb。NMG6I)R AM 256kb芯片的静止功耗约为25inw，而ChKE】〕RAM256kb到16Mb芯片均不大于5.5n1w。这两种工艺的工作功耗均为400 n1w左右。 微细加工技术的发展，不仅使I)RAM的容量不断加大，访问时间加快，而且在结构上出现了各种不同的字长。初期DRAM的字长仅1位，输人数据与输出数据用两个管脚，后来增加到4位字长。容量提高到IMb以上的DR人M又增加到8位和16位字长。例如对4Mbl)R AM，结构上有4MI〕xl，IML〕x4，512kbX8，256kbX16等不同字长。这样，可用最少量的芯片满足各种系统对存储容量的不同需求。
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参考词条