1) zinc oxide ceramic target
氧化锌陶瓷靶材
3) ceramic target
陶瓷靶材
1.
The effect of main parameters of HIP technique on the densification of ITO ceramic target was investigated.
实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。
2.
Aluminum-doped zinc oxide (ZAO) ceramic targets for sputtering were fabricated by hot isostatic pressing (HIP) and ZAO transparent conducting thin films were prepared by dc magnetron sputtering.
用热等静压法烧结制备了高导电性ZAO(铝掺杂氧化锌)陶瓷靶材,并用直流磁控溅射法制备出ZAO透明导电薄膜。
5) pure ZnO ceramic
纯氧化锌陶瓷
1.
Analyzed were the characteristics of interface of both ZnO varistor and pure ZnO ceramic by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。
6) nano ZnO ceramic
纳米氧化锌陶瓷
补充资料：氧化锌陶瓷
分子式：
CAS号：
性质：氧化锌(ZnO)为主晶相加入适当的掺杂物等制成的一类半导体陶瓷材料。具有优良的非线性系数、压敏电压范围宽(零点几伏到几十千伏)、电压温度系数小、时间响应快、漏电流小等特点。主要原料为氧化锌，掺杂物有氧化铋、氧化钴、氧化锶、氧化钛等。采用一般电子陶瓷工艺制造。可用于制造高压电路中稳压元件和过电压保护元件(如集成电路中的低压压敏电阻器)，还可作避雷器之用。
CAS号：
性质：氧化锌(ZnO)为主晶相加入适当的掺杂物等制成的一类半导体陶瓷材料。具有优良的非线性系数、压敏电压范围宽(零点几伏到几十千伏)、电压温度系数小、时间响应快、漏电流小等特点。主要原料为氧化锌，掺杂物有氧化铋、氧化钴、氧化锶、氧化钛等。采用一般电子陶瓷工艺制造。可用于制造高压电路中稳压元件和过电压保护元件(如集成电路中的低压压敏电阻器)，还可作避雷器之用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条