2) N channel MOSFET
n沟道MOSFET
3) buried-channel MOSFET
隐埋沟道MOSFET
1.
Extraction of channel carrier concentration using C-V method for SiC buried-channel MOSFET;
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度
4) short-channel
短沟道
1.
Threshold voltage in short-channel SOI BJMOSFET;
短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
2.
Through solving possion equation, the characteristics of short-channel MOSFET device is analyzed in details in the following three aspects: the effect of channel length modulation , the change of threshold voltage and potential barrier decrease between source and channel.
通过求解泊松方程,从沟道长度调制效应、阈值电压变化及源极同沟道间的势垒变化三个方面详细分析了短沟道MOSFET的器件特性。
3.
A threshold voltage model for short-channel MOSFET is developed by solving a 2-D Possion s equation.
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。
5) Short channel MOST
短沟道MOST
1.
This paper discussed the electrical characteristic of short channel MOST at very high temperature.
本文以短沟道MOST电学参数的温度特性为研究对象，对高温短沟道MOST的电学特性进行了深入的探讨。
6) Trench MOSFET
沟槽MOSFET
1.
In the 3rd chapter, we present a novel Trench MOSFET structure with an integral Schottky diode in trench contact bottom to parallel body-diode.
本文第四章中对于这个由我们设计制造的分离栅的器件在不同结构尺寸下做了分析,并将优化的结构与普通的沟槽MOSFET作比较,降低了栅漏电容Cgd82%。
2.
Based on TCAD of Tsuprem IV and Medici,the effects of the process and design parameters on the performance(BV,Ron,sp and Qgd)of power trench MOSFET were investigated,and the figure of merit of 30 V n-channel trench MOSFET was optimized.
基于器件与工艺模拟软件TsupremIV和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30V的开关用沟槽MOSFET器件。
补充资料：短沟道效应（shortchanneleffect）
短沟道效应（shortchanneleffect）
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的沟道长度L缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道（也即L远大于WS WD）的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。由于短沟道效应使MOSFET的性能变坏且工作复杂化，所以人们希望消除或减小这个效应，力图实现在物理上是短沟道的器件，而在电学上仍有长沟道器件的特性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条