1) piezoresistance sensitivity
压阻敏感
2) voltage dependent resistor
电压敏感电阻
3) Si-resistance-strain gauge
硅压阻式力敏传感器
1.
The surface tension coefficient of water and alcohol experiment is conducted by using Si-resistance-strain gauge and ringlike slice.
通过用万能试验机的加载部分对试件加力来进行材料的拉伸实验,用硅压阻式力敏传感器及环状吊片来进行液体表面张力系数的测定的实验,分析、比较了塑性固体材料和液体在拉伸过程中的共同点。
4) sensitive resistance
敏感电阻
1.
The resistance-temperature characteristic of the sensitive resistance prepared by polycrystalline La0.
33)MnO_3多晶材料制成的敏感电阻,我们发现La_(0。
2.
This paper presents the theory and performance of the endurance lightning tester for sensitive resistance.
介绍一种使用于敏感电阻的耐雷电波冲击测试仪的工作原理和基本性能,分别从雷电波产生电路,控制电路,冲击次数和时间控制电路等方面详细的介绍了电路设计思想。
5) varistor
[və'ristə]
压敏电阻
1.
Progress in study on nonlinear electrical transporting theory of varistor;
压敏电阻非线性电输运理论研究进展
2.
Effect of nano-sized TiO_2 doping on ZnO varistor;
纳米TiO_对ZnO压敏电阻的影响
3.
Preparation of doped ZnO nano-powders and ZnO varistors by different methods;
不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻
6) varistors
压敏电阻
1.
Then ZnO varistors were prepared at different sintering temperatures.
以金属离子盐和草酸为原料,采用室温固相化学反应合成掺杂ZnO前驱物,根据DSC-TG分析结果,将其在450℃热分解2 h,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。
2.
Using zinc nitrate, urea and additives as raw materials, doped ZnO nanopowders for varistors were prepared by the self-propagating combustion method.
以硝酸锌、尿素以及其它添加剂为原料,通过自蔓延燃烧法一次性合成了ZnO压敏电阻用掺杂纳米粉体。
3.
The research progress of Microwave-sintered Zinc oxide varistors was reviewed.
但压敏电阻组分较多,微波快速烧结时,组分通过扩散和迁移在微观上均匀分布较难,可能对电性能有一定影响。
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条