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1)  resonant tunneling diodes
谐振隧穿器件
1.
The characteristics of resonant tunneling diodes, signal electron devices and electron wave-guidetransistors are introduced.
从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景。
2)  resonance tunneling
谐振隧穿
1.
In particular, the resonance tunneling phenomena in the semiconductor material GaAlAs/GaAs/GaAlAs are discussed in detail.
给出了几种位势的透射系数随入射粒子能量变化的曲线 ,研究了谐振隧穿现象。
3)  RTD
共振隧穿器件
1.
Device Structure and Fabrication of RTD:Lecture of RTD(6);
RTD的器件结构及制造工艺——共振隧穿器件讲座(6)
4)  resonant tunneling devices
共振隧穿器件
1.
The features,classification, operating principle, design on material and devices, fabrication processing, parameters and measurement of resonant tunneling devices were introduced.
通过对共振隧穿器件的特点、分类、工作原理、电流成分、器件参数等的介绍,为初学人员或非专业爱好人员提供一个对共振隧穿器件全面的、概括性的认识。
5)  resonant tunnel device
谐振隧道器件
6)  RTD
谐振隧穿二极管
1.
This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs).
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
补充资料:隧穿效应
分子式:
CAS号:

性质:见隧道效应。

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