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1)  bootstrap capacitor
自举电容
2)  bootstrap current
自举电流
1.
The alignment of bootstrap current in tokamak;
Tokamak中自举电流的剖面准直性
2.
The bootstrap current produced by fusion born alpha particles is investigated.
本文对聚变产生的α粒子自举电流进行了研究,研究中采用了简便的Pade近似形式,同时考虑了回旋角散射效应和慢化过程中牵引作用的影响,给出了α粒子自举电流计算的理论表达式。
3.
This simulation takes into account of the plasma bootstrap current,ion cyclotron resonance heating and fast wave current drive.
模拟中考虑了自举电流,并加入了离子回旋共振加热ICRH和快波电流驱动FWCD,得到了中心电子温度4。
3)  self-elevate resistance
自举电阻
1.
That is to say when self-elevate resistance Rg meets low noise condition,the circuit noise disadvantage effect will decrease to minimum and then overlook it.
即:当自举电阻Rg满足低噪声化条件时,自举电路对原电路噪声的不利影响就可以减到最小而可以忽略不计。
4)  bootstrap circuit
自举电路
1.
This paper introduces the application of Mitsubishi Intelligent Power Module PS22056 in the UPQC main circuit,expatiates upon the selecting method for PS22056 peripheral parts,the calculating methods of main parameters,Experiments are made and the results show that the circuit can stay stable at 10 kHz,bootstrap circuit can stabilize driving voltage at about 14.
介绍了三菱1200V DIP-IPM模块PS22056的在UPQC主电路中的应用,阐述了PS22056外围器件的选择方法、主要参数的计算方法,并进行试验,试验结果证明电路可以稳定工作在10 kHz的频率,自举电路可以很好地将驱动电压稳定在14。
2.
Problems were analyzed on the standby power loss of traditional bootstrap circuit in the isolation power source design.
分析了在隔离型电源设计中传统自举电路待机功耗存在的问题,介绍了一种可降低待机功率的自举电路,并给出了详细的实验电路和参数及实验结果。
3.
The bootstrap process of intelligent power module (IPM) bootstrap circuit was analyzed.
对智能功率模块(IPM)自举电路的自举过程进行了分析。
5)  bootstrap charge circuit
自举充电
1.
The third generation IPM of Mitsubishi s PS21564 and its working principle, charging process of exclusive bootstrap charge circuit, the reliable and practical connection mode were presented in detail.
介绍了一种新型基于智能功率模块开关磁阻电动机功率电路,研究了日本三菱公司生产的第三代智能功率模块PS21564的工作原理及其特有的自举充电电路的充电过程及其可靠实用的电路连接方式,并给出仿真结果,证明了此种电路是一种方便可行的开关磁阻电机功率电路。
6)  bootstrapping ['bu:tstræpiŋ]
自举电路
1.
Improve input resistance by using bootstrapping;
用自举电路提高输入电阻
补充资料:电容和电容器
      电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
  
  孤立导体的电容  把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比,Q/U与Q无关,仅取决于孤立导体的形状和大小,它反映了孤立导体容纳电荷的能力,因而定义为孤立导体的电容,用C表示,C=Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉,简称法,用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体,其电容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
  
  如果把另一个带负电的导体移近孤立导体,后者的电位就下降,可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关,还取决于周围其他导体的相对位置。
  
  电容器  如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围,则因空腔的屏蔽作用,AB之间的电位差不受腔外带电体的影响,A所带的电量同A及B的电位差成比例。
  实际上,腔体封密的限制并不太高,即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板),如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量,则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器,这对导体则称为电容器的一对极板。
  
  把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q,电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C=Q/U。电容是电容器的特性常数,取决于两导体的形状、大小、相对位置;当导体间充有绝缘材料时,电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关,则电容C将随所加电压U而变化,这种电容器叫做非线性电容器。
  
  电容的倒数1/C=U/Q=S叫做倒电容。
  
  简单电容器的电容公式  如表。
  
  电容器的并联和串联  n个电容器并联如图a,它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q=,则 C=,即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
  
  n个电容器串联如图b,它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=,则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
  
  电容器的性能参数和用途  电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
  
  实际电容器的种类繁多,用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数,以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器,以提供交流旁路稳定电压,用作级间交流耦合,以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
  

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参考词条