1) Field thermal electron emission
场热电子发射
2) thermionic field emission
热电子场致发射
1.
Based on thermionic field emission,this paper presents an analytical model by approximating the physical model which shows good agreement with experimental data over a wide range of gate bias and of temperature.
本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础,通过对物理模型的近似处理,提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。
3) thermion field emission
热电子场发射
4) FAHED
场助热电子发射
1.
A static multi-gray drive circuit system of FAHED(Field Assistant Hot Electron Display) based on CPLD is introduced in the paper.
主要介绍了新型的平面显示技术———场助热电子发射显示的一种基于CPLD的静态多灰度驱动系统,以及两种芯片:双极性串并转换器HV6008和多灰度串并转换器HV633的工作原理和在该系统中的应用。
5) thermionic field emission
场致热电子发射
6) Field assistant hot-electron emission display
场助热电子发射显示
补充资料：热电子发射
| 热电子发射 thermionic emission 加热金属使其中大量电子克服表面势垒而逸出的现象 。与气体分子相似，金属中的自由电子作无规则的热运动，其速率有一定的分布。在金属表面存在着阻碍电子逃脱出去的作用力，电子逸出需克服阻力作功，称为逸出功（旧称功函数）。在室温下，只有极少量电子的动能超过逸出功，从金属表面逸出的电子微乎其微。一般当金属温度上升到1000℃以上时，动能超过逸出功的电子数目急剧增多，大量电子由金属中逸出，这就是热电子发射。若无外电场，逸出的热电子在金属表面附近堆积，成为空间电荷，它将阻止热电子继续发射。通常，以发射热电子的金属丝为阴极，另一金属板为阳极，其间加电压，使热电子在电场作用下从阴极到达阳极，这样不断发射、不断流动，形成电流。随着电压的升高，单位时间从阴极发射的电子全部到达阳极，于是电流饱和 。 许多电真空器件的阴极是靠热电子发射工作的。由于热电子发射取决于材料的逸出功及其温度，应选用熔点高而逸出功低的材料如敷钍或敷铯的钨丝来做阴极。 除热电子发射外，靠电子流或离子流轰击金属表面产生电子发射的，称为二次电子发射。靠外加强电场引起电子发射的称为场效发射。靠光照射金属表面引起电子发射的称为光电发射。各种电子发射都有其特殊的应用。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条