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1)  etch of deep silicon trenches
硅深槽刻蚀
2)  Trench etching
深槽刻蚀
3)  DRIE
硅深刻蚀
4)  Deep silicon etching
深硅刻蚀
5)  deep-etching bath
深蚀刻液槽
6)  etching of deep Si trenches
Si深槽刻蚀
补充资料:电化学刻蚀
分子式:
CAS号:

性质:也称电解浸蚀。在一定的电解液中,采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多,例如在印刷电路板的制作中,通过如下反应:Cu→Cu2++2e-(阳极) ;2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中,对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2,FeCl3,H2CrO4,NH4Cl,H2O2-H2SO4等。

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