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1)  field emission array electron source
阵列场电子发射电子源
2)  Silicon field emitter array(Si-FEA)
阵列硅场电子发射体(Si-FEA)
3)  electron field emission
场电子发射
1.
The influence of thermal annealing on the electron field emission characteristics of the AIN coating on Si substrate was investigated.
以氮气为反应气体;用射频反应溅射方法制备了AIN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响。
2.
Current research on electron field emission from wide band-gap materials, such as diamond, diamond-like carbon, cubic boron nitride, aluminum nitride and silicon carbide films is reviewed.
介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 。
3.
The behavior of electron field emission from CVD d iamond films implant ed by nitrogen iron has been studied.
研究了氮离子注入CVD金刚石薄膜的场电子发射行为 。
4)  electron field emission
电子场发射
1.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with B doping and H_2O adsorption;
掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究
2.
First-principles study of electron field emission from the carbon nanotube with nitrogen doping and H_2O adsorption
氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究
3.
The effects of the thermal annealing on the bonding structure and the electron field emission characteristics of CN_x films were investigated.
结果发现,沉积的CNx膜中氮原子与sp,sp2,sp3杂化碳原子相键合,并对经过退火的CNx膜的键合结构和电子场发射特性的影响进行了研究。
5)  field electron emission
场电子发射
1.
Preparation and field electron emission of diamond films grown on porous silicon substrates by MW-CVD are studied.
研究了多孔硅衬底微波 CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性 。
2.
Field electron emission measurements of nano-carbon films were also carried out showing the ture on field as low as 1.
进一步的场致发射测试结果显示:此种类毛虫形状纳米级碳薄膜具有场发射大面积大(>4cm~2)、发射点密度高且发射均匀的特征,其场电子发射阈值电场较低(<1。
6)  field emission electrons
场发射电子
补充资料:电子对抗试验场


电子对抗试验场
electronic warfare test site

  dianzi duikang shiyanchang电子对抗试验场(electronic Wal」are‘es‘site)专门用于在近似实战条件下进行电子对抗战术训练和对电子对抗设备进行试验、鉴定的场地。 电子对抗试验场通常设在敌方不易侦察和对外界电磁干扰影响小的内陆地区。试验场占地广‘阔,场内主要配备:①各种仿造的敌性国家军用雷达、通信电台、光电设备或其模拟设备;②电子对抗信号环境模拟设备,它每秒可产生上百万个脉冲的雷达信号和上千部通信电台信号;③用来装载电子对抗设备或供对抗试验用的各种电子设备的飞机、舰船、火箭和特种车辆;④各种测试仪器设备,其测量范围和测量精度应满足承担各种任务的要求。⑤试验场还设置了大型自然环境试验设备,可对整套电子对抗装备按军用标准进行温度、湿度、冲击、振动、盐雾、霉菌等各种环境试验;⑥大型微波暗室,内部可放人整套电子对抗装备进行试验,而不产生电磁信号泄漏。电子对抗试验场承担的任务主要有:利用各种模拟设备,模拟敌性国家某一地区电子设备的配置情况,形成具有特定战术背景的近似实战的信号环境,对飞行员及各种战勤人员进行电子对一抗战术训练,提高其电子对抗作战能力;在近似实战的条件下研究和演练新的电子对抗战术;对电子对抗装备的研制样机进行各种试验,对电子对抗装备定型或批生产产品进行鉴定。 第二次世界大战期间,美国在佛罗里达州建立了陆军航空兵电子对抗试验站。60年代,美空军在内华达州用机载电子对抗设备与模拟的苏联雷达进行对抗试验。70年代初,美国空军在内利斯基地建立了庞大的电子对抗试验场,搜集和仿制了苏联对空情报雷达、炮瞄雷达和地空导弹制导雷达共百余部,配置在三个区域,模拟苏联在东欧的防空部署,主要用于检验机载电子对抗设备掩护作战飞机突防的有效性,以及在近似实战的电磁威胁环境中训练飞行员,提高电子对抗作战能力。80年代中期,北约在法国和西德建立了电子对抗训练场,其配备与美国空军内利斯电子对抗试验场相似,电磁威胁辐射源是移动式的,可以分布在整个训练场地。主要用于飞行员在逼真的电磁威胁环境中进行电子对抗习11练。 电子对抗试验场的发展趋势是:提高试验场自动化水平,试验数据的采集、处理、分析、存储、显示的全过程以及仿真模拟等均采用计算机完成;发展智能化的专家系统,辅助试验人员判断和决策。 (冯世璋)
  
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