1) Nonlinear frequency conversion
非线性频率变换
1.
Laser technique experiment based on nonlinear frequency conversion
基于非线性频率变换的激光技术实验
2) nonlinear frequency conversion
非线性频率转换
4) nonlinear optical frequency conversion technology
非线性光学频率变换技术
1.
DPL combines with nonlinear optical frequency conversion technology will extend more wide wavelength region.
在众多的激光器件中 ,由半导体激光器泵浦的固体激光器 (LDPSSL ,简称全固态激光器 )由于其转换效率高、光束质量好、工作稳定可靠、体积小、重量轻、寿命长、工作介质覆盖的波段广及运转方式多样 ,再加上与非线性光学频率变换技术相结合 ,可实现多种波长的运转 ,致使这类激光器具有逐步取代气体、液体及传统固体激光器的可能性 ,因此这类器件已经成为当前激光技术发展的主要方向。
5) bilinear time-frequency transformation
双线性时间-频率变换
1.
According to the principle of kernel function spectral decomposition,the authors express the discrete real kernel as a symmetric matrix,and indicate the discrete bilinear time-frequency transformation as a weighted sum of discrete spectrograms with eigen-decomposition of symmetric matrices.
根据核函数的谱分解理论,把实离散核函数表示为实对称矩阵,利用对称矩阵的特征分解把离散时间双线性时间-频率变换表示为离散时间频谱图的加权和,用频谱图的部分和实现双线性变换的快速近似计算。
6) ultra linear voltage-to-frequency converter
超线性电压-频率变换器
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条