1) donor/acceptor nature of interface traps
受主型/施主型界面态陷阱
2) acceptor trap
受主陷阱
1.
The effects of acceptor trap on the breakdown character of AlGaN/GaN HEMT were investigated through evaluated electric field distribution in the channel.
通过计算沟道电场的分布,研究了受主陷阱对AlGaN/GaN HEMT器件击穿特性的影响。
3) interface trap states
界面陷阱态
1.
Study of interface trap states of AlN-Si(111) heterostructure;
AlN-Si(111)异质结构界面陷阱态研究
4) donor interface state density
施主界面态密度
5) acceptor trap
半导体受主陷阱;受主陷阱
6) interface trap
界面陷阱
1.
Study of conductive property for a N-VDMOS interface trap under X-ray radiation;
一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究
2.
Study on avalanche hot-electron injection of interface trap characteristic for thin film in nanometre range formed by PECVD;
PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱特性的雪崩热电子注入研究
3.
This paper studies the interface trap features of novel thin rapid thermal nitrided SiOxNy film by the technique of avalanche hot-electron injection and the measurements of high frequency C-V and (luasi-static C-V characteristics.
采用雪崩热电子注入技术和高频Ｃ－Ｖ及准静态Ｃ－Ｖ特性测试，研究了新型快速热氨化的ＳｉＯｘＮｙ介质膜界面陷阱的特征，侧重于研究界面陷阱的特性与分布。
补充资料：施主－受主对发光
固体中形成近邻或较近邻的施主-受主对,电子从施主到受主的跃迁所发出的光。施主及受主的浓度要足够高才能形成对。
施主-受主对(以下简称D-A对)的电子跃迁能量E(r)为
式中Eg在带隙宽度，ED和 EA分别表示孤立的施主和受主（对于相应带边）的电离能。q2/εr是在介电常数为ε的介质中的库仑能，其中q 为电子电量，r表示施主和受主之间的距离。
因为杂质总是占据点阵中的某些分立位置的，所以式中的r不是连续变数，于是D-A对发光表现为一系列的分立谱线（带）。D-A对相距很远时，库仑项非常小,与此相应的光子能量很小。D-A对的r大于有效玻尔半径时，跃迁需借助于隧穿过程，因此r愈大，跃迁几率愈小,其发光强度也愈小；然而,当r很小时,可能存在的D-A对的数目亦相应减少；因此发光强度会在某个r 值达到极大。一般说,当Г >40┱时，D-A对的发射谱线有严重的交叠而形成宽谱带，只有当r在10～40┱之间才能分辨出分立的精细结构。
对于化合物半导体,必须区分两类D-A对:第一类D-A对的施主和受主都占据化合物中相同的子阵点,如GaP中的S-Si、Te-Si和 Se-Si对，它们都在P位上，Si是受主。第二类 D-A对中施主和受主分别占据不同的子阵点，如GaP中的S-Zn、Te-Zn、S-Cd、Se-Cd和Te-Cd对，其中Ⅵ族施主在P位，Ⅱ族受主在Ga位上。上述两类D-A对中, r取分立数值的规律不同，其发光谱线的位置分布也不同。
参考书目
F.Williams,Physica Status Solidi,Vol.25,p.493,1968.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semicon-duclors, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J.,1971.
施主-受主对(以下简称D-A对)的电子跃迁能量E(r)为
式中Eg在带隙宽度，ED和 EA分别表示孤立的施主和受主（对于相应带边）的电离能。q2/εr是在介电常数为ε的介质中的库仑能，其中q 为电子电量，r表示施主和受主之间的距离。
因为杂质总是占据点阵中的某些分立位置的，所以式中的r不是连续变数，于是D-A对发光表现为一系列的分立谱线（带）。D-A对相距很远时，库仑项非常小,与此相应的光子能量很小。D-A对的r大于有效玻尔半径时，跃迁需借助于隧穿过程，因此r愈大，跃迁几率愈小,其发光强度也愈小；然而,当r很小时,可能存在的D-A对的数目亦相应减少；因此发光强度会在某个r 值达到极大。一般说,当Г >40┱时，D-A对的发射谱线有严重的交叠而形成宽谱带，只有当r在10～40┱之间才能分辨出分立的精细结构。
对于化合物半导体,必须区分两类D-A对:第一类D-A对的施主和受主都占据化合物中相同的子阵点,如GaP中的S-Si、Te-Si和 Se-Si对，它们都在P位上，Si是受主。第二类 D-A对中施主和受主分别占据不同的子阵点，如GaP中的S-Zn、Te-Zn、S-Cd、Se-Cd和Te-Cd对，其中Ⅵ族施主在P位，Ⅱ族受主在Ga位上。上述两类D-A对中, r取分立数值的规律不同，其发光谱线的位置分布也不同。
参考书目
F.Williams,Physica Status Solidi,Vol.25,p.493,1968.
J. I. Pankove, Optical Processes in Semicon-duclors, Prentice-Hall, Englewood Cliffs, N.J.,1971.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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