1) modulation heterostructures
调制掺杂异质结构
2) modulation doped Al x Ga 1-x N/GaN heterostructure
调制掺杂AlGaN/GaN异质结
3) doped junction
掺杂质结
4) Doping structures
掺杂结构
5) modulation-doped
调制掺杂
1.
The electron-sheet-density in the quantum well of Strain-Si modulation-doped NMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor)affects switch performance.
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性。
6) doping tuned
掺杂调制
补充资料：调制掺杂
调制掺杂
modulation doPing
调制掺杂结构在二维物理新效应的研究方面也很有意义。在这种结构中不仅观察到二维系统所特有的整数量子霍耳效应，并且在更低的温度和更强的磁场条件下，还发现了分数量子霍耳效应(见二维电子气)。 (孑L梅影)调制掺杂modulation dopi飞一种使掺杂剂原子不均匀分布，并将载流子与杂质在空间分开的异质结构。由于杂质散射作用的减少，这种结构材料中的载流子可具有极高的低温迁移率。 最早的调制掺杂异质结构是丁格(Dinge)等于1978年用MBE技术作出的调制掺Si的GaAs/AIGaAs超晶格。它是在AIGaAs层中掺N型杂质Si，而GaAs层不掺杂，N一AIGaAs中离化施主所贡献的导带电子的能量大于GaAs导带底而进入GaAs层，积累在GaAs阱两侧的三角形势阱中形成高浓度的二维电子气，它们在空间上与AIGaAs中的离化施主分开。中间还可加一层不掺杂的AIGaAs隔离，使离化施主对GaAs层中电子的库仑散射作用大大减弱，电子可以有很高的迁移率。尤其是在低温下，晶格散射作用也大大减小，这种迁移率增强效应更为显著。目前GaAs/N一AIGaAs调制掺杂单异质结的迁移率已达到i.lx107em2/(V·s)(0.3K)。还研制了在AIGaAs中掺P型杂质Be的调制掺杂异质结构，界面处GaAs阱中二维空穴气的迁移率也获得极大提高，已接近10飞mZ/(V·s)(4 .2K)。调制掺杂结构在器件方面有十分重要的应用。1980年用它研制成功的高电子迁移率晶体管(HEMT)为半导体超高频器件和电路的发展开拓了一个重要方向。HEMT器件已进入商品生产，HEMT环形振荡器的每门延滞时间已低至SPs，64k静态存储器已进入开发。近几年来，用InGaAs一InAIAs调制掺杂异质结制作的HEMT也有很大进展，它比GaAs/N一AIGaAs的HEMT有更高的跨导和速度。
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参考词条