1) SOI thermo-optic switc h
SOI热光开关
2) SOI optical switch
SOI光波导开关
1.
The progresses of SOI based integrated optoelectronic devices in recent years are reviewed in this paper,the emphasis is laid on the working principles and structures of several optical passive devices, including SOI optical waveguide, SOI optical waveguide coupler, SOI optical switch,PAWG (phase-shift arraywaveguide.
本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。
3) Thermo-optic switch
热光开关
1.
Research and progress in polymeric thermo-optic switch;
有机聚合物热光开关的研究进展
2.
Different features and future development of polymer thermo-optic switches and variable optical attenuator(VOA)are highlighted.
综述了基于有机聚合物热光效应的各种光电器件的研究进展,重点介绍了聚合物热光开关和聚合物热光衰减器的发展状况、技术特点和发展趋势,并提出了一种新的利用有机聚合物热光效应研制非制冷热成像器件的热探测机制。
4) thermooptic switch
热光开关
1.
Analyses of the capacity of mach-zehnder interferometer thermooptic switch using PMMA material based on finite element method;
采用PMMA的M-Z型热光开关性能的有限元分析
2.
The thermooptic switch based on polymer PMMA/DR1 waveguide was prepared by means of \{UV-\}photobleaching.
利用光漂白方法在 PMMA/DR1有机聚合物光波导上制备出 Mach- Zehnder干涉型耦合器 ,形成低开关功率的 2× 2热光开关 ,在 1 。
5) thermo optic switch
热光开关
1.
The paper esearch two kinds of fundamental thermo optic switch——1×2Y switch and 2×2 MZI optical switch basic theory and structure, putting forth several designs of integrated switch units.
文中在概述光开关现状的基础上 ,研究了 1× 2 Y分支器型和 2× 2 MZI型两种热光开关基本单元的原理和结构 ,提出了几种新型的集成光开关单元的结构 ,这些结构的串扰可以和机械光开关相比拟 ,得到 60 d B左右的水平 ,这些结构在集成光开关中的应用将对集成开关的发展产生建设性的影响 ,并在此基础上分析了 N× N开关矩阵 ,对目前的研究状况进行了分
6) Thermo-optic Switches
热光光开关
1.
Fabrication of Polymer Thin Film Waveguides for Thermo-optic Switches;
用于热光光开关的聚合物薄膜波导制作
补充资料：热开关（thermalswitch）
热开关（thermalswitch）
指能够控制两个物体之间热接触或热分离的装置，一般有以下四种：
⑴气体开关：两个未接触的物体，如果它们处在高真空的环境，彼此传热极差，是一种热分离的状态，在充入少量的氦气后，通过氦气的传热，两物体之间实现了热接触，从而起到了热开关的作用。
⑵机械开关：有钳式和平板式两种。用和A物体热连接的钳子夹住B物体时就热连接，钳子松开时就热分离。平板式可用波纹管或威尔逊接头的伸缩使与A物体热连接的平板与B物体热连接或分离。为了减少接触时的热阻，在接触处应焊上银、黄金或铜等高热导的金属板。
⑶超导开关：利用超导材料的超导态与正常态的热导差而制成的热开关。正常态热导λn正比于T，超导态热导λs正比于T3，所以λn/λs正比于T-2，热导比在0.1K以下可达103～105。其正常与超导态之间的转换可用一小磁体来实现。在低温下材料处于超导态，加上磁场时它就转变为正常态，所以可以用磁场来控制热开关的通与断，即A、B两物体通过一超导材料连接在一起，无磁场时，材料热导率小是热开路。加上磁场，材料失起变为正常态，热导率加大了几个量级成为热通路。
⑷磁热开关：利用有些材料如Be、Ga等的热流磁场效应，也即在外场的作用下，这些材料的热导小，无外场时的热导大。所以可以用磁场来控制热通路或断路。例如高纯的Be单晶在T≤20K时，H=6kOe，其热导比λ(0)/λ(H)＞102，这种热开关在温度升高后其声子运载的热流凌驾于载流子运送的热流之上，这时λ对H时就不敏感了。所以这种热开关在T≥100K时就不能使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条