1)  area CCD
双面阵CCD
1.
Because two area CCDs are adapted in the system,it can orientate the space spot of laser spot center.
该系统采用双面阵CCD,可对激光光斑中心表示的空间点进行定位。
2)  double-faced
双面
1.
The paper introduces producting technology of hot rolling high strength double-faced enamelled steel,study on mechanism how to realize properties of double-faced enamel and high yield strength.
本文介绍了鞍钢热轧高强双面搪瓷钢的生产工艺,并对实现良好的双面搪瓷性能和高屈服强度的机理进行了研究和分析。
3)  double-side grinding
双面磨削
1.
Using double-side grinding technology in 300 mm Si wafer manufacturing process,the Si wafer can obtain high accuracy surface parameters,and generate obvious grinding marks,which can affect the surface flatness.
在直径300mm Si片制备过程中,利用双面磨削技术能获得高精度的表面参数,但同时却会在Si片表面留下明显的磨削印痕,这会影响Si片表面平整度。
4)  double-faced jacquard
双面提花
1.
Considering that the fabric of computerized knitting machine is characterized by double-faced jacquard at present,the program based on multi-views is set forth to raise designing efficiency.
在介绍单面提花织物和双面提花织物特点的基础上,针对目前电脑横机织物以双面提花为主的特点,以提高设计人员设计效率为目的,阐述了一种多文档视图电脑横机花型准备系统的设计思路。
5)  double-sided polishing
双面抛光
1.
Based on the analysis of the process of double-sided polishing,we establish a mathematical model when the double-sided polishing machine working in a calm movement state,simulate the process of double-sided polishing by programming language as changing the parameters.
分析了双面抛光机的加工过程,建立了抛光晶片在双面抛光机平稳运动状态下运动的数学模型,采用计算机对双面抛光加工进行运动仿真,并通过改变不同的参数值,得出抛光过程中不同参数对抛光效果的影响。
2.
The wafer motion and the load in double-sided polishing process are main factors which affect the wafer surface quality.
晶片在双面抛光加工过程中具有多向运动、受力复杂、表面材料微细去除的特征,晶片的运动和受力是影响双面抛光加工质量的主要因素。
3.
According to the characteristics of core,clad and solid rim glass material of microchannel plate(MCP),the mechanism of double-sided polishing of MCP was analyzed.
基于微通道板皮料、芯料、实体边玻璃材料的特点,分析了微通道板的双面抛光机理,研究了抛光工艺参数(抛光粉、抛光压力、抛光液pH值等)对MCP平面粗糙度、表面质量的影响,提出了微通道板的抛光工艺及参数:抛光粉应选择莫氏硬度为6、粒度为1。
6)  double dewatering
双面脱水
参考词条
补充资料:Esa相阵控雷达/相位阵列雷达

aesa〈active electronically-scanned array〉主动电子扫描相控阵列雷达是21世纪主流的军事雷达,全世界第一种实用化aesa相控阵列雷达是an/spy-1神盾舰雷达系统, an/spy-1系统拥有强大远距侦蒐与快速射控能力,他是专为美军新一代神盾舰载作战系统发展而来的“平板雷达”。

aesa主动电子扫瞄相控阵列雷达,就是一般所称的「相列雷达 / 相阵控雷达」,美军神盾舰系统就是由aesa+c4指挥、管制〈武器〉、通讯、计算机等整合而成的高效能『海上武器载台』。

aesa相阵控雷达最初由美国无线电公司(rca)研发制造出来,后来该公司由于经营不善,被通用航天公司(ge aerospace)购并成为其集团下之雷达电子部门,但往后ge aerospace又将该部门卖给 洛克希得.马丁公司(lockheed martin) (美国最大的军火供应商),因此spy-1相控阵列雷达现在是“洛马”的专利技术,如今aesa相控阵列雷达在“洛马”公司的后续改进上,已开发出战机、飞弹、防空等专用的缩小化aesa相控阵列雷达,甚至外销提供全球各神盾舰、各式防空飞弹所需要的雷达〈神盾系统是美国雷神公司的产品〉。在一般人的印象中,旧式雷达就是一个架在旋转基座上的抛物面天线,不停地转动著以搜索四面八方;而an/spy-1相位阵列雷达的天线从外观上看,却只是固定在上层结构或桅杆结构表面的大板子。

旧式传统的旋转天线雷达必须靠著旋转才能涵盖所有方位,要持续追踪同一个目标时,要等天线完成一个360度旋转周期回到原先位置时才能作目标资料的更新,等到获得足够的资料时,敌方飞弹早已经兵临城下,拦截时间所剩无几,这种力不从心的情况在面对各式新一代高速先进超音速反舰飞弹时,pla舰队损失会更加惨重;而如果飞弹或战机进行高机动闪避,由机械带动来改变方位的旧式雷达天线很可能会跟不上目标方位变化,难以有效追踪进而被偷袭成功。传统雷达的雷达波都有一个受限制的波束角,因此雷达波会形成一个扇形查找断层网,距离越远则雷达波对应的弧长越大,换言之,单位面积对应到的能量也随距离拉长而越来越低(雷达波强度随距离的平方成反比),分辨率与反应度自然无法令人满意;加上旧式长程雷达都会使用较长的波长以传递较长的距离,而波长越长分辨率就越低,更使这个问题恶化。例如;传统雷达在搜索第二代掠海反舰飞弹这类低体积讯号的目标时,传统长程搜索雷达即便在目标进入搜索范围后,通常还是得旋转几圈后,才能累积足够的回波讯号来确认目标。为了弥补这个弱点,这类长程搜索雷达只好将雷达旋转速度降低(往往需要十秒钟以上才能回转一圈),让天线在同一个位置上停留更久,以接收更多各方位的脉冲讯号,然而这样又会使目标更新速率恶化。至于用来描绘目标轨迹的追踪雷达〈照明雷达〉则拥有较快的天线转速(例如每秒转一周)以及较短的波长,尽量缩短目标更新时间,但也使得天线较难持续接收同一目标传回的讯号,侦测距离大幅缩短。因此,长距离侦测以及精确追踪对传统旋转雷达而言,是鱼与熊掌不可兼得的。

aesa相位阵列雷达简介

相位阵列雷达的固定式平板天在线装有上千个小型天线单元(又称移相器,phase shifter),每个天线都可控制雷达波的相位(发射的先后),各天线单元发射的电磁波以干涉阵列原理合成接近笔直的雷达波束,旁波瓣与波束角都远比传统雷达小,主波瓣则由于建设性干涉而得以强化,故分辨率大为提升;至于波束方位的控制则是依照“海更士”波前原理,透过移向器之间的相位差来完成。由于移相器的电磁波“相位”改变系由电子“阵列”控制方式进行,相位阵列雷达可在微秒内完成波束指向的改变,因此在极短的时间内就能将天线对应到的搜索空域扫瞄完毕,故能提供极高的目标更新速率。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。