2) high-resolution X-ray diffraction
高分辨X射线衍射
1.
Combining Rutherford backscattering/channeling (RBS/C) and high-resolution X-ray diffraction (HXRD) measurements, we investigate the radiation damage in GaN films with various doses and angles of Mg~+_implantation.
结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling,RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction,HXRD)的实验测量,研究了不同剂量和不同角度Mg+注入GaN所造成的辐射损伤。
2.
Micropipes and low-angle boundaries in 6H-SiC (0001) wafer are determined by transmission polarized light microscopy, synchrotron X-ray topography and high-resolution X-ray diffraction method, respectively.
利用透射偏光显微术、同步辐射X射线形貌术、高分辨X射线衍射方法对 6H SiC(0 0 0 1)晶片中的微管和小角度晶界等缺陷进行了研究。
3.
In this thesis, high-resolution X-ray diffraction and transmission electron microscope were used to analyze the microstruction of GaN LED on sapphire substrate.
利用高分辨X射线衍射对GaN基LED外延片的超晶格结构进行了测量,得出了超晶格的结构信息。
3) HRXRD
高分辨X射线衍射
1.
have been gained by analyzing eptaxial STO films with a high resolution X-ray diffractometer(HRXRD+ TAXRD).
本文应用高分辨X射线衍射(HRXRD+TAXRD)技术对外延生长的SrTiO3膜进行了分析,获得了有关该薄膜的晶体取向、衬底的结构特性以及弛豫态的点阵常数等信息,对今后改进SrTiO3系列样品生长工艺有重要的意义。
2.
The effect of annealing time on the epitaxial strain in GaN films was detailedly studied by high-resolution X-ray diffraction(HRXRD).
采用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)法生长Mg掺杂p型GaN薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术研究不同退火时间对GaN薄膜中外延应变的影响。
4) high resolution X-ray diffraction
高分辨X射线衍射
1.
Strain in Al I[WTFZ]nGaN thin films caused by different contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution x-ray diffraction;
用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变
2.
A hexagonal GaN layer with a LT-AlN(low temperature) interlayer grown on Si(111) by metal-organic chemical vapour deposition(MOCVD) method was characterized by high resolution X-ray diffraction(HRXRD) and Rutherford backscattering(RBS)/channeling.
利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在硅衬底上生长具有AlN插入层的GaN外延膜,采用高分辨X射线衍射(HRXRD)和卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究分析其结构和应变性质。
3.
Energy dispersive spectroscopy (EDS) was employed to measure the chemical composition of the quaternary, high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and photoluminescence (PL) technique were used to characterize structural and optical properties of the epilayers, respectively.
在不同的生长温度和载气的条件下 ,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜 ,通过能量色散谱 (EDS) ,高分辨X射线衍射 (HRXRD)和光致发光谱 (PL)对样品进行表征与分析 ,研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。
5) high resolution two crystal X-ray fluorescence spectrometer
高分辨X射线光谱仪
6) high-resolution multi-crystal multi-reflection X-ray diffraction(HRMCMRXD)
高分辨率多重晶多重反射X射线衍射
补充资料：高分辨X射线光谱仪
分子式：
CAS号：
性质：简称高分辨X射线光谱仪。一种用两个晶体进行分光的X射线荧光光谱仪。该光谱仪的特点是具有较高的分辨率，可进行物质中元素的化学状态分析。其原理与普通(一个晶体)的X射线荧光光谱仪相同。仪器由X射线发生器、样品室、分析室、气流正比计数管、电子记录和数据处理系统等组成。分光系统中两个晶体的配置有平行配置图1(a)和反平行配置图l(b)两种方式(图暂缺)。双晶体移动的方式示于图2(平行配置方式)。应用高分辨X射线光谱可研究元素的氧化状态、配位数、化学键的类型等。现已用于对煤灰、飘尘、树叶中不同硫的价态(S2-，S0，S4+，S6+)、催化剂中钒的价态、黏土矿物中铝的配位数(Al5+，Al6+)、硅酸盐中Si—O键的性质等研究，获得了较好结果。
CAS号：
性质：简称高分辨X射线光谱仪。一种用两个晶体进行分光的X射线荧光光谱仪。该光谱仪的特点是具有较高的分辨率，可进行物质中元素的化学状态分析。其原理与普通(一个晶体)的X射线荧光光谱仪相同。仪器由X射线发生器、样品室、分析室、气流正比计数管、电子记录和数据处理系统等组成。分光系统中两个晶体的配置有平行配置图1(a)和反平行配置图l(b)两种方式(图暂缺)。双晶体移动的方式示于图2(平行配置方式)。应用高分辨X射线光谱可研究元素的氧化状态、配位数、化学键的类型等。现已用于对煤灰、飘尘、树叶中不同硫的价态(S2-，S0，S4+，S6+)、催化剂中钒的价态、黏土矿物中铝的配位数(Al5+，Al6+)、硅酸盐中Si—O键的性质等研究，获得了较好结果。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条