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1)  MESFET
金属肖特基势垒场效应晶体管
1.
Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。
2)  dual gate MESFET
双栅金属-肖特基势垒场效应晶体管
3)  MESFET(metal-semiconductor field-effect transistor)
金属消特基势垒场效应晶体管
4)  sfet
肖特基势垒栅场效应晶体管
5)  esbt
增强型肖特基势垒场效应晶体管
6)  metal schottky fet
金属肖特基栅场效应晶体管
补充资料:肖特基势垒(Schottkybarrier)
肖特基势垒(Schottkybarrier)

金属和半导体接触形成半导体表面势垒,此势垒又称肖特基势垒。

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