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1)  filtered cathodic vacuum arc (FCVA)
过滤阴极真空弧(FCVA)
2)  FCVA
磁过滤阴极真空弧沉积系统(FCVA)
3)  Filtered cathodic vacuum arc(FCVA)
过滤阴极真空电弧沉积(FCVA)
4)  filtered cathodic vacuum arc
过滤阴极真空电弧
1.
Amorphous diamond films deposited by filtered cathodic vacuum arc technology as infrared protective coatings;
过滤阴极真空电弧制备非晶金刚石红外保护膜
2.
Phosphorus incorporated tetrahedral amorphous carbon(ta-C:P)film was deposited by a filtered cathodic vacuum arc technology with PH_3 as the dopant source.
采用过滤阴极真空电弧技术,以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜。
3.
The temperature sensibility of amorphous diamond (a-D) films deposited with the filtered cathodic vacuum arc technology was investigated in the range of -190-600℃.
采用过滤阴极真空电弧技术制备非晶金刚石薄膜,在-190-600℃范围研究非晶金刚石薄膜的温度敏感性。
5)  FCVPD(filtered cathode vacuum arc deposition)
磁过滤阴极真空弧沉积
6)  filtered cathodic vacuum arc deposition
过滤阴极真空弧沉积
1.
Ta-C films are synthesized by filtered cathodic vacuum arc deposition method.
用磁过滤阴极真空弧沉积 (FCVAD)方法在Si衬底上合成了Ta C薄膜 ,Raman光谱和光电子能谱 (XPS)分析表明衬底加 80~ 10 0V负偏压时合成的Ta C薄膜sp3 键所占比例最高 ,可达 80 %以上 ,并且在Ta C薄膜表面存在一sp3 键所占比例较低的薄层 。
补充资料:热阴极电离真空计(thermalcathodeionizationvacuumgauge)
热阴极电离真空计(thermalcathodeionizationvacuumgauge)

气体中的电子当它具有足够能量时,一旦与气体分子碰撞就会引起分子电离,产生正离子及电子。电子在一定的飞行路程中与分子的碰撞数正比于气体压强P,所以产生的正离子数也正比于压强P,这种利用离子电流的测量而获得真空数值的称为电离真空计。

为了实现以上的过程,需要有一个热阴极来发射电子,一个给电子以能量的加速并收集电子的加速极,以及一个收集离子的收集极。收集极与放大显示电路相连结就构成了真空计。

电离计的测量范围为10-3~10-7托,在上限处由于电子繁流使得离子流与压强的关系偏离线性的工作区,在下限处由于电子打到加速极产生了轫致辐射,此辐射又在收集极上产生光电子,此光电子的量值相当于在10-8托下的离子流,所以10-8托即成了测压的下限。

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参考词条