说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 多束速调管
1)  MBK
多束速调管
1.
Preliminary analysis of bandwidth characteristics onmultiple-beam klystron(MBK);
多束速调管频宽特性的初步分析
2)  Multiple-beam klystron
多注速调管
1.
Analysis and simulation for double reentrant cavity of multiple-beam klystron;
多注速调管双重入式谐振腔的解析计算与仿真
2.
Study on microwave self-adapting equalizer for amplifier of multiple-beam klystron;
多注速调管放大器的自适应均衡器研制
3.
In this article, it introduces the design and measurement results of an 5cm-Band Multiple-beam Klystron that work in High Order Mode and achieve 6% band width.
本文介绍了一支5cm波段为实现6%带宽,选用工作在高次模的多注速调管设计及测试结果。
3)  multibeam klystron
多注速调管
1.
By combining the practice,the experiment waveforms and its results of multibeam klystron transmitter where state modulator be used are discussed in detail.
结合具体项目,详细论述了该调制器用于多注速调管发射机的试验结果以及该系统的测试波形,肯定了固态调制器在工程上的应用价值。
2.
This paper introduces the design of highly stable multibeam klystron transmitter which is rapidly developing, based on the research of a multibeam klystron transmitter.
结合某多注速调管发射机的研制 ,介绍了目前正迅速发展的多注速调管发射机的设计要点 ,重点介绍了为达到高稳定度性能所采用的关键技
3.
The main characteristics of a new type high power microwave multibeam klystron has been presented; meanwhile, the key techniques used in multibeam klystron transmitter have also been described.
本文介绍了一种新型大功率微波管多注速调管的主要特点 ,重点叙述了多注速调管发射机设计中所采用的关键技术 ,并对其应用前景作了客观评
4)  Multi-beam klystron
多注速调管
1.
Research on the Electron-Optical System of High Peak Power Multi-Beam Klystron;
高峰值功率多注速调管电子光学系统的研究
2.
Cylindrical coaxial TM_(812) mode cavity resonator for millimeter wave multi-beam klystron
基于同轴TM_(812)模谐振腔的毫米波多注速调管
3.
Design and simulation of high power L-band multi-beam klystron
L波段高功率多注速调管设计与模拟
5)  multicavity klystron
多腔速调管
6)  Ku-band multiple-beam klystron
小型多注速调管
补充资料:速调管
      靠周期性地调制电子注的速度来实现放大或振荡功能的微波电子管。在速调管中,输入腔隙缝的信号电场对电子进行速度调制,经过漂移后在电子注内形成密度调制;密度调制的电子注与输?銮幌斗斓奈⒉ǔ〗心芰勘浠唬缱影讯芙桓⒉ǔ。瓿煞糯蠡蛘竦吹墓δ堋?
  
  1937年,美国物理学家R.H.瓦里安和S.F.瓦里安制出双腔速调管振荡器。反射速调管则是1940年由苏联工程师 Н.Д.捷瓦科维、Е.Н.丹尼尔捷维、И.В.布斯库诺维和В.Ф.柯瓦连科分别研制成功的。
  
  按照电子行进的轨迹,速调管分为直射速调管和反射速调管两类,通常将直射速调管简称为速调管。
  
  直射速调管  直射速调管在结构上包括以下几部分:电子枪、谐振腔、调揩系统、各腔之间的漂移管、能量耦合器、收集极和聚焦系统。具有两个谐振腔的速调管称为双腔速调管;具有两个以上谐振腔者称为多腔速调管。
  
  双腔速调管(图1a)仅有两个谐振腔,即输入腔和输出腔。由电子枪产生的电子注首先到达输入腔隙缝。输入的微波信号经能量耦合器送进输入腔,在谐振腔隙缝外形成微波信号电压。在这里,电子注受到微波场的速度调制,然后进入无场漂移管。在漂移过程中电子发生群聚,在电子注内形成密度调制。密度调制的电子注与输出腔隙缝的微波场进行能量交换,电子把能量交给微波场,完成放大或振荡的功能。微波功率经能量耦合器送至负载。
  
  
  双腔速调管增益仅为10分贝左右。为了提高增益,可以在输入腔与输出腔之间设置一个或多个中间腔,构成级联放大器。这种速调管称为多腔速调管(图1b)。引入中间腔还可以提高效率;若使各腔频率略有差异,还可展宽频带。多腔速调管的特点是增益高、效率高、稳定性好、输出功率大,缺点是频带窄。多腔速调管的稳定增益可达80分贝,效率最高可达75%,脉冲功率可达60兆瓦,连续波功率可达1兆瓦。频带一般仅有1%~2%,个别大功率脉冲速调管可达10%~12%。
  
  电子群聚  电子从阴极发射出现以后受到高电压的加速,到达输入腔隙疑时所有电子的速度是一致的。待放大的微波信号进入输入腔,在隙缝上建立起微波信号电压。隙缝上的电压随时间呈正弦变化。在不同时刻到达隙缝的电子,受到不同的瞬时电压的作用(图2)。
  
  
  t=tC时,隙缝电压Us等于零,在这一时刻穿越隙缝的电子既未受到加速也未受于减速,仍以原来速度继续向前运动。
  
  t=ta时,隙缝电压Us为负向最大值(电压方向以电子受到减速力时为负,受加速力时为正)。在这个时刻穿过隙缝的电子受到减速。穿过隙缝后,这些电子以低于原来的速度向前运动并逐渐落后。经过一定距离墹L,这些电子与较晚时刻(tC)穿过隙缝的电子聚集在一起。
  
  t=tC时,隙缝电压Us为正向最大值。在这个时刻穿过隙缝的电子受到加速。穿过隙缝后,这些电子以高于原来的速度向前运动。经过一定距离墹L,这些电子追上在tC时刻从隙缝飞出的电子。
  
  在ta~tC之间穿过隙缝的电子均被减速,在tC~tC之间穿过隙缝的电子均受到加速。这样,注中电子在输入腔隙缝受到速度调制,并在无场漂移空间飞行一定距离墹L之后,快速电子追上慢速电子,在墹L处形成电子群。这就是电子群聚现象。于是,在第二腔处,电子的密度随时间呈周期性变化,即形成密度调制(图2)。这就使电子注电流中包含了一定的交流分量。电子群穿过输出腔隙缝时正值微波减速场。电子受到减速就会把动能交给输出腔的微波场,完成对输入信号的放大。
  
  电子枪  速调管常用的电子枪有阴控枪、阳控枪、栅控枪、无截获栅控电子枪和磁控注入式空心注电子枪(见行波管、强流电子光学)。
  
  谐振腔  常用的谐振腔有两种:双重入式圆柱形谐振腔和双重入式角柱形谐振腔(图3)。圆柱腔用于固定频率或调谐范围小的速调管,利用电容片调谐。谐振腔可以装在管外(外腔式速调管)或管内(内腔式速调管)。工作波长较长和频带较宽的速调管可做成外腔式。
  
  
  输入腔或输出腔通过能量耦合器与管外微波系统相接。简单输出腔的频带很窄,为展宽输出电路的频带可采用滤波器型输出电路和分布互作用电路(分布互作用速调管)或慢波电路输出段(行波速调管)。
  
  聚焦系统  速调管常用聚焦方法有均匀永磁聚焦、周期永磁聚焦、均匀电磁聚焦和静电聚焦。
  
  收集极  电子打在收集极上时,剩余动能转化为热能。为导走热量,大、中功率速调管收集极需要采用液冷、风冷或蒸发冷却。
  
  直射速调管的应用  连续波放大速调管应用于对流层散射通信、微波接力通信、卫星通信地面站、电视发射机、机载与地面雷达、微波工业加热及将能量变成微波形式进行传输。现代连续波放大速调管工作频率分布在220兆赫至36吉赫范围内,输出功率从几百瓦至1兆瓦。
  
  脉冲放大速调管应用于雷达、带电粒子加速器。现代脉冲放大速调管工作频率分布在 220兆赫至18吉赫范围内,脉冲功率从1千瓦至60兆瓦。
  
  在直射速调管中,将一部分输出功率反馈至输入腔可构成振荡器,用于参量放大器、导航台等。双腔速调管可用于倍频。
  
  反射速调管  用来产生微波振荡的单腔速调管。它的特点是结构简单,工作可靠,体积小,重量轻,电压低,可机械调谐和电子调谐,参数随环境温度变化小,抗辐射能力强。反射速调管输出功率为10毫瓦至2.5瓦,工作频率在800兆赫至220吉赫之间,机械调谐范围为1%~15%(毫米波管达40%),电子调谐范围为0.1%~1.0%。效率为20%~30%。反射速调管在结构上包括阴极、谐振腔、反射极和能量耦合器等部分(图4)。
  
  
  电子从阴极发射出来,受到加速后穿过谐振腔隙缝。在隙缝外受到微波电场的速度调制,然后进入谐振腔与反射极之间的减速场(反射极电位负于阴极)。在减速场作用下,所有电子都将被反射回来。受到速度调制的电子注,在减速场内返转运动过程中形成密度调制。当电子注再次穿过隙缝时,群聚的电子把能量交给腔体微波场以维持振荡。振荡功率经能量耦合器送至负载。电子被腔壁或其他金属零件收集。
  
  反射速调管广泛用于小功率信号源、振荡器和各种微波设备,但因半导体器件的竞争,产量有降低的趋势。尽管如此,在80年代初它仍是微波电子管中生产数量最大的一种管型。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条