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1)  interdigital capacitors
指栅电容
1.
By using transmission line matrix method, the simulation and analysis for frequency response of interdigital capacitors in metal semiconductor metal photodetector is described.
介绍了利用传输线矩阵方法模拟和分析金属 -半导体 -金属光电探测器指栅电容的频率响应。
2)  body drain-gate capacitor
漏栅电容
3)  gate capacitance
栅电容
1.
Modeling of reduced gate capacitance of MOSFETs accounting for quantum effects;
考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型
2.
The influence on threshold voltage and gate capacitance of MOSFETs due to quantum effects;
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
3.
The paper presents the equivalent model and components of gate resistance Rg and gate capacitance Cgs of DMOSFET, the C-V curve of metal insulator semiconductor structure and testing methods and equipments of gate resistance Rg.
讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效模型和构成,介绍了金属绝缘半导体结构C-V曲线及栅电阻Rg的测试方法和设备。
4)  gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中,忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
5)  gate source capacitance(Cgs)
栅源电容
6)  Gate capacitance Cg
栅电容Cg
补充资料:电容和电容器
      电容是描述导体或导体系容纳电荷的性能的物理量。
  
  孤立导体的电容  把电荷Q充到孤立导体上,它的电位U与Q成正比,Q/U与Q无关,仅取决于孤立导体的形状和大小,它反映了孤立导体容纳电荷的能力,因而定义为孤立导体的电容,用C表示,C=Q/U。孤立导体的电容等于导体升高单位电位所需的电量。电容的国际制单位为法拉,简称法,用F表示,是一个非常大的单位。如将地球看作孤立导体,其电容只有709×-6法,所以通常采用μF(=-6F)或pF(=10-12F)为单位。
  
  如果把另一个带负电的导体移近孤立导体,后者的电位就下降,可见非孤立导体的电位不仅与它自己所带电量的多少有关,还取决于周围其他导体的相对位置。
  
  电容器  如果带电导体A被一封闭导体空腔B所包围,则因空腔的屏蔽作用,AB之间的电位差不受腔外带电体的影响,A所带的电量同A及B的电位差成比例。
  实际上,腔体封密的限制并不太高,即使A、B二导体为间距不大的一对导体板(同轴圆柱或平行平面板),如果QA为导体A上与导体B相对的侧面上的电量,则上述比例关系仍保持不变。这对互相绝缘的导体构成电容器,这对导体则称为电容器的一对极板。
  
  把电压U接到电容器的一对极板上,它们得到大小相等、符号相反的电荷±Q,电位差UA-UB=U,则定义电容器的电容为C=Q/U。电容是电容器的特性常数,取决于两导体的形状、大小、相对位置;当导体间充有绝缘材料时,电容器的电容还与绝缘材料的相对电容率εr有关。如果εr与电场强度有关,则电容C将随所加电压U而变化,这种电容器叫做非线性电容器。
  
  电容的倒数1/C=U/Q=S叫做倒电容。
  
  简单电容器的电容公式  如表。
  
  电容器的并联和串联  n个电容器并联如图a,它们的电压都等于u,充有的电荷分别为q1、q2、...、qn。此并联组合得到的总电荷 q=,则 C=,即并联电容器组的总电容等于各电容的总和。
  
  n个电容器串联如图b,它们充有相等的电荷q, 电压则分别为u1、u2、...、un。此串联组合的总电压u=,则S =,即串联电容器的总倒电容等于各倒电容的总和。
  
  电容器的性能参数和用途  电容是电容器的主要性能参数之一。此外,实际电容器的性能参数还有耐压(或工作电压)、损耗和频率响应,它们分别取决于所充电介质的击穿场强、媒质损耗和对频率的响应。
  
  实际电容器的种类繁多,用途各异。大型的电力电容器主要用于提高用电设备的功率因数,以减少输电损失和充分发挥电力设备的效率。电子学中广泛采用电容器,以提供交流旁路稳定电压,用作级间交流耦合,以及用作滤波器、移相器、振荡器等等。
  

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参考词条