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1)  diffused surface concentration
扩散表面浓度
2)  diffusion concentration
扩散浓度
3)  concentration diffusion
浓度扩散
1.
To develop visual simulation software for concentration diffusion in a kitchen which based on the programming technology of OpenGL on the VC++6.
通过模拟得到二维和三维的浓度扩散图,发现厨房内污染物浓度扩散符合高斯模式。
4)  surface diffusion
表面扩散
1.
Based on classical theory of surface diffusion and evaporation-condensation, a fi- nite element program is developed to simulate the unstable shape evolution of plate-like grains.
基于物质表面扩散和蒸发-凝结的经典理论,对板状晶粒不稳定外形的演变过程进行了有限元模拟结果表明,热蚀沟角θ=0(无内晶界)时,板状晶粒将直接圆柱化;当内晶界存在时,存在一临界热蚀沟角θmin;当θ>θmin时,板状晶粒沿晶界分离。
2.
BCF spiral growth mechanism for the surface diffusion model was analyzed using the kinetic data of the four faces.
选取了TGS晶体的 (0 0 1) ,(110 ) ,(0 10 )和 (10 0 )四个面为研究对象 ,分析讨论了TGS晶体的表面扩散螺位错生长机制 ,发现生长基元的脱水化进入表面层过程与表面扩散过程相比 ,前者在TGS晶体的生长过程中起着更重要的作用 ;同时 ,在较高的相对过饱和度下 ,观察到了TGS自然结晶体的两种简单晶形 。
3.
The neck equation given by the coupling model is greater than that given by surface diffusion modal.
结果表明:在相同条件下,多机制综合作用颈长方程略高于表面扩散机制单独起作用的颈长方程;多机制综合作用的对心收缩小于只考虑晶界扩散和体积扩散的对心收缩。
5)  anti-concentration diffusion
逆浓度扩散
1.
MRA blood vessel Segmentation Based on anti-concentration diffusion method and Mumford-Shah Model relating to Grayscale Histogram;
基于逆浓度扩散及直方图的Mumford-Shah模型的MRA血管分割
6)  surface concentration
表面浓度
1.
The isotherms illustrated by surface concentration cs in substitution for adsorption amount ns in the conventional method can more objectively reflect the thermodynamic principle that the lower the temperature is, the easier the adsorption carries out.
利用计量的表面浓度cs 代替常规法测定的吸附量ns 所得到的吸附等温线,更客观地反映温度降低利于吸附(cs 更大)的热力学原理。
2.
The dependence of surface concentration of CuEDTA2-, which is reduced to form copper and covered on specimen, on plating time has been determined.
利用一能使化学镀铜过程的阴极和阳极反应分别在不同电极上进行的装置测量了阴、阳极的“短路电流”,并以此电流近似地表示化学镀铜的速度,由“短路电流”随时间的变化推导了化学镀铜过程中阴极区反应物种的表面浓度的变化规律,并以此得到了计算稳态时化学镀铜速率的表达式。
补充资料:表面扩散
      是指原子、离子、分子以及原子团在固体表面沿表面方向的运动。当固体表面存在化学势梯度场,扩散物质的浓度变化或样品表面的形貌变化时,就会发生表面扩散。
  
  表面原子是在周期势中断的平面上移动,因而,表面扩散与体内扩散固然有许多相同之处,但也有自身特点。主要是扩散率高,在晶须生长实验中,观察到的表面扩散率高达1厘米2/秒,这已与气相扩散过程相近,表面扩散过程与表面的取向有关,用场离子显微镜观察到单个铼原子在铱的(111)、(113)平台上的异质表面扩散激活能分别为0.52eV及1.17eV,差别很大;表面状态如吸附物质的存在,也会强烈影响表面扩散。
  
  热振动能量的涨落可能使表面原子获得足够的能量克服表面势垒,变成近邻位置上的吸附原子,这是最简单的完整晶体表面自扩散。在实际晶体表面上存在各种类型的缺陷,根据表面条件,表面原子可以在平台上或沿台阶移动;表面原子也可填充到表面空位上,引起空位的迁移;或发生更加复杂的扩散过程。
  
  研究表面扩散的实验方法主要是放射性示踪、物质传递、场离子显微镜及场发射等技术。人们运用这些实验方法测定表面扩散系数,用以研究表面动力学过程,确定表面势。表面扩散与烧结、晶体生长、薄膜工艺、蠕变等密切相关。但对表面扩散过程机理的了解有待深入。
  

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参考词条