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1)  3-terminal BNRT
三端双向负阻晶体管
2)  BNRT
双向负阻晶体管
1.
Three terminal characteristics of negative resistance transistor (BNRT) is investigated.
对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 。
3)  PBNRT
光电双向负阻晶体管
1.
The photo-bidirectional negative resistance transistor (PBNRT) is a novel “S” type photoelectric negative resistance device.
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 。
2.
By means of photo sensitization a photo bidirectional negative resistance transistor (PBNRT) have been designed and fabricated for the first time.
首次对双向负阻晶体管 (BNRT)进行了光敏化 ,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件———光电双向负阻晶体管 (PBNRT)。
4)  bidirectional triode thyristor
双向三端晶体闸流管
5)  negative impedance transistor
负阻晶体管
1.
In view of the features of the negative impedance transistor NEGIT,the photo negative impedance transistor PNEGIT has been designed and fabricated.
考虑到负阻晶体管NEGIT的特点,设计和制造了在光照度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0。
6)  three-terminal negative differential resistance
三端负阻
补充资料:晶体管-晶体管逻辑电路
晶体管-晶体管逻辑电路
transistor-transistor logic
    集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路(DTL)中的二极管,改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功,基本门电路的结构和元件参数,经历了3次大的改进。同DTL电路相比,TTL电路速度显著提高,功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品,就使开关速度比DTL电路提高5~10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路,开关时间可缩短到3~5纳秒。绝大部分双极型集成电路,都是TTL电路产品。
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参考词条