1) ELO GaN
侧向外延氮化镓
2) gallium nitride epitaxial materials
氮化镓外延材料
4) epitaxial lateral overgrowth
侧向外延
1.
High quality GaN is grown on GaN substrate with stripe pattern by metalorganic chemical vapor deposition by means of epitaxial lateral overgrowth.
采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN。
2.
To improve the quality of devices,the epitaxial lateral overgrowth(ELO) technique is applied to GaN.
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。
5) GaP epitaxial wafer
磷化镓外延片
6) GaAs epitaxial wafer
砷化镓外延片
补充资料：氮化镓
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条