1) F_S n
F-S结
1.
The author finds that there is not only electronic reflection but also hole reflection at F_S node,while there is only hole reflection at the N_S node by calculating the reflection coefficient at the N_S node and the F_S node.
通过计算N -S结与F-S结上反射系数 ,发现F -S结上既有电子反射也有空穴反射 ,而N -S结上只有空穴反射。
2) S/F I's junction
S/F-I-S结
3) Ferromagnetic/Semiconductor/Ferromagnetic
F/S/F
1.
Considering spin-orbit interactions and interface barrier,we study spin-transport properties through Ferromagnetic/Semiconductor/Ferromagnetic nanostructure.
考虑半导体中自旋轨道耦合作用的自旋翻转效应及铁磁半导体边界处的界面势垒作用,研究了自旋极化电子在准一维铁磁/半导体/铁磁(F/S/F)异质结中的输运行为。
4) F-S diagram
F-S曲线
5) S-F diagram
S-F图
6) S B F
S-B-F
补充资料：`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
`S_1-I-S_2`隧道结（$S_1-I-S_2$tunneljunction）
是指两种不同超导体S1和S2间夹有绝缘介质层I的隧道结，其I-V特性曲线如图。
由于S1和S2不同，Δ1(T)和Δ2(T)也不等。图中Vmax=|Δ2-Δ1|/e，Vmax=(Δ1 Δ2)/e，在这两者之间是负阻区，而V≥Vmax时，隧道电流迅速上升并接近N-I-N的情景。由负电阻特性和电流的极大和极小可测定Δ1和Δ2。但在T=0K时，因没有热激发准粒子，所以只有当V≥(Δ1 Δ1)/e时才发生准粒子隧道效应。对S-I-S隧道结，Δ1=Δ2，其单电子隧道效应的I-V特性曲线类同于S-I-N的I-V曲线形状。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条