1) resonance tunneling
谐振隧穿
1.
In particular, the resonance tunneling phenomena in the semiconductor material GaAlAs/GaAs/GaAlAs are discussed in detail.
给出了几种位势的透射系数随入射粒子能量变化的曲线 ,研究了谐振隧穿现象。
2) resonant tunneling diodes
谐振隧穿器件
1.
The characteristics of resonant tunneling diodes, signal electron devices and electron wave-guidetransistors are introduced.
从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景。
3) RTD
谐振隧穿二极管
1.
This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs).
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
4) resonant tunneling transistor(RTT)
谐振隧穿晶体管
5) resonant tunneling
共振隧穿
1.
Magnetoresonant tunneling of electrons in asymmetric multibarrier heterostructures;
非对称多势垒异质结构中电子的磁共振隧穿
2.
Effects of the structure on resonant tunneling in multi-quantum-well systems;
多量子阱系统结构变化对共振隧穿的影响
3.
Spin polarized current transport and charge polarization effect in ferromagnetic GaMnN resonant tunneling diode
GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
6) resonance tunneling
共振隧穿
1.
With the knowledge of resonance tunneling mechanism in zero average index PC, we find such PC must contain negative refractive metamaterials and its structure parameters should satisfy some special conditions.
利用光子晶体的共振隧穿效应,并结合由负折射材料引起的零平均折射率带隙,设计出一种新型的角度滤波器,使得对于某一频率范围内的入射电磁波仅在特定入射角度的波能够全透,而其他角度的波不能透过。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条