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1)  autoionization and dielectronic capture (A&C)
自电离与双电子俘获(A&C)
2)  autoionization and dielectronic capture
自电离与双电子俘获
1.
Comparison of autoionization and dielectronic capture with dielectronic recombination in ion population in Ge plasma was given.
以Ge为例,研究了双电子复合代替自电离与双电子俘获对离子布居的影响;通过解包括双激发态和自电离与双电子俘获过程的速率方程组,研究了类F离子与类Ne离子基态对19。
3)  Dielectronic capture
双电子俘获
4)  self trapped electron
自俘获电子
5)  electron trapping
电子俘获
1.
Methods of electron trapping correction in CdZnTe coplanar-grid detector;
CdZnTe共面栅探测器的电子俘获修正方法
2.
In conclusion, electron trapping material is.
用固相反应法制备了SrS :Eu ,Sm电子俘获材料 ,根据电子俘获材料可存储、可擦除及饱和特性等实现了在图像存储、布尔逻辑运算及图像微分等方面的应用 。
3.
The rare earth electron trapping optical storage is new type storage technology.
电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术,它突破了现有的光存储介质的存储机制,可实现大密度稳定可重复擦写存储。
6)  Electron trapping materials
电子俘获
1.
Optical IPA(Interpattern association) neural network model is implemented using CaS(Eu, Sm) electron trapping materials synthesized by the authors.
报道用自行研制的CaS(Eu,Sm)电子俘获材料表示互联权重矩阵以实现光学IPA神经网络模型。
补充资料:电子俘获
      一般分成两类。一类是原子或离子通过媒质时获得电子的机制。这是原子和离子在媒质中损失动能并减速的重要原因,从而影响入射的原子和离子在媒质中的射程。当入射的带电粒子的速度和媒质中电子的速度具有相同量级时,发生电子俘获的几率较大,因此在粒子射程的末端,电子俘获的发生较为频繁。对于带有大量正电荷的裂变碎片,则在它整个减速过程中都有电子俘获发生。中性的氢原子通过轻元素组成的媒质时,单位距离路程的能量损失约为质子在同样情形下能量损失的一半。
  
  另一类是电子被原子核俘获,称为电子的核俘获或K俘获。K俘获是原子核从最靠近它的 K电子壳层俘获一个电子而转变为核电荷数比原来的值小 1的新核的机制,此过程中,核还要发射一个中微子。K俘获是β衰变的逆过程。发生K俘获的几率与K壳层电子处于核附近的寿命有关,核电荷数Z值较大的核,电子波函数在核中心区的值也较大,因而发生K俘获的几率也比轻核大。K俘获是电子的场与核场间相互作用的结果。
  
  还可能发生一种二阶过程,即原子K壳层的s电子被核俘获的同时,伴随着L壳层一个p电子跃迁到K壳层而产生γ跃迁。
  

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