1) tunnel oxide
隧穿氧化层
2) fluorinated tunneling-oxide
F化隧穿氧化层
3) tunnel oxide
隧道氧化层
1.
Degradation of tunnel oxide in E~2PROM under constant current stress;
恒流应力下E~2PROM隧道氧化层的退化特性研究
2.
Plasma damage-induced EEPROM failures have been investigated The reason in fabricate process have been analysed from tunnel oxide,device structure,PECVD,plasma etch.
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。
4) oxide film breakdown
氧化层击穿
1.
Dielectric oxide film breakdown mechanism of IC device in human body model;
HBM模型中IC器件氧化层击穿机理
5) tunneling layer
隧穿层
6) altra-thin tunnel oxide
超薄隧道氧化层
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条