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1)  perovskite CaSiO3
钙钛矿型CaSiO3
1.
The non-crystallization of perovskite CaSiO3 under decompression was studied with molecular dynamics(MD) simulation method.
钙钛矿型CaSiO3从高压下解压缩变成非晶态的过程进行了分子动力学模拟,模拟所得的压力-体积关系与实验值符合较好。
2)  perovskite-type
钙钛矿型
1.
Preparation and Catalytic Properties of Perovskite-type Nanometer Catalysts for Methane Oxidative Coupling;
甲烷氧化偶联钙钛矿型纳米催化剂的制备及性能测定
2.
Nanometer perovskite-type oxide La1 Sr MnO3 was prepared by lemon-acid sol-gel method accessing surface active ag- ent.
采用添加表面活性剂的柠檬酸溶胶-凝胶法制备钙钛矿型纳米氧化物La1SrMnO3。
3.
Rare-earth perovskite-type oxide is the most promising cathodic material for use in solid oxide fuel cell(SOFC).
稀土钙钛矿型氧化物是固体氧化物燃料电池(SOFC)研制中十分有应用前景的阴极材料。
3)  Perovskite type
钙钛矿型
1.
Nano and large size perovskite type composite oxides LaMnO 3+λ were prepared by sol gel and precipitate method, respectively, and their catalytic properties for combustion of methane have also been studied.
采用溶胶-凝胶方法和沉淀法制备了纳米级和大颗粒钙钛矿型复合氧化物LaMnO3+λ,并对其催化甲烷完全氧化性能进行了研究。
2.
Nano-perovskite type rare earth mixed oxides La1-xPbxCoO3 were synthesized by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿型稀土复合氧化物La1-xPbxCoO3。
4)  Perovskite [pə'rɔvz,kait]
钙钛矿型
1.
Research on the Poison Resistance and Stabilization of the Perovskite Catalysts for VOCs Catalytic Combustion;
钙钛矿型催化剂对VOCs催化燃烧的抗毒性和稳定性研究
2.
A brief overview of the state of the art of HTPC with perovskite type and complex perovskite type structure is given.
介绍了钙钛矿型和复合钙钛矿型化合物的结构、常用的制备方法和传导性质 ,详细分析了其传导机理 ,评述了其研究进展和在气体传感器、固体燃料电池、有机物加氢和脱氢以及常压电化学合成氨等方面的应用 ,展望了应用前景和发展趋
3.
A series of perovskite-type composite oxides Ba-Zr-O,La-Ce-O, Sr-Ce-O, Mg-Ce-O,Ba-Ce-O,La-Zr-O,La-Co-O and Ba-Co-O have been prepared by improvement sol-gel method .
本文以改进的溶胶-凝胶法制备了几种新型钙钛矿型复合氧化物Ba-Zr-O、La-Ce-O、Sr-Ce-O、Mg-Ce-O、Ba-Ce-O,La-Zr-O并与常见的La-Co-O、Ba-Co-O复合氧化物催化剂进行了比较研究,同时又以微乳法、共沉淀法制备了其中某些催化剂,研究了它们的物理化学性能和催化性能。
5)  perovskite CaTiO3
钙钛矿型钛酸钙
6)  LaCoO_3
钙钛矿型LaCoO3
补充资料:钙钛矿型铁氧体
分子式:
CAS号:

性质:又称钙钛矿型铁氧体。具有钙钛矿型结构的铁氧体。其化学式为AFeO3(式中A为Y或一部分其他稀土元素)。其晶体结构与天然钙钛石(CaTiO3)相同,属正交晶系。具有单轴各向异性。饱和磁化强度很低,约为(4.9~11.4)×10-4T,其泡径(磁泡处于稳定状态时的直径)较大,迁移率较低。用它制作的磁泡存储器具有非挥发性、抗辐射能力强。利用薄膜技术可实现集成化,在密度与半导体存储器相同情况下功耗约可低2~3个数量级。主要用作磁泡材料。

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参考词条