1) photothermal ionization spectroscopy
光热电离光谱
1.
The photothermal ionization spectroscopy (PTIS) was employed to study Be shallow acceptor states in MBE grown GaAs films.
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 。
2.
The annealing behavior of shallow thermal donors(STD) in Cz Si grown in N 2 atmosphere was investigated by means of photothermal ionization spectroscopy.
利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为。
2) photo-thermal ionization spectroscopy
光热电离光谱
1.
Compensating impurity in high purity silicon single crystal investigated by photo-thermal ionization spectroscopy;
高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱
3) Photo-Ionization
光电离光谱
1.
Highly Sensitive Analysis by Laser Photo-Ionization Spectrometry;
高灵敏度的激光光电离光谱分析方法
5) Photoionization spectra
光电离谱
补充资料：激光光热干涉光谱分析法
分子式：
CAS号：
性质： 激光光热位移光谱法的一种。当调制激光束照射到试样时，试样表面会产生时变的位移或振动，如试样的吸收系数、热导率、热膨胀系数等参数决定了光热位移的大小。本法就是利用试样表面位移对检测光束产生的变化调相，然后通过光束干涉解调相位来获得了振动位移，根据这些信号进行分析。本法的灵敏度很高，已广泛应用于材料的无损检测。
CAS号：
性质： 激光光热位移光谱法的一种。当调制激光束照射到试样时，试样表面会产生时变的位移或振动，如试样的吸收系数、热导率、热膨胀系数等参数决定了光热位移的大小。本法就是利用试样表面位移对检测光束产生的变化调相，然后通过光束干涉解调相位来获得了振动位移，根据这些信号进行分析。本法的灵敏度很高，已广泛应用于材料的无损检测。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条