1) coherent tunneling
相干隧穿
2) Quantum destruction of tunneling
相干隧穿抑制
3) macroscopic quantum tunneling and coherence
宏观量子相干和隧穿现象
4) spin dependent tunneling
自旋相关隧穿
5) tunneling
[英]['tʌnəlɪŋ] [美]['tʌnəlɪŋ]
隧穿
1.
Resonant tunneling of acoustic waves in 1D phononic crystal;
声波在一维声子晶体中共振隧穿的研究
2.
Quantum Magnetic-tunneling Through a CaAs/Ga_(1-x)Al_xAs Superlattices:a Calculation of the Transmission Coefficient;
GaAs／Ga_（1－x）Al_xAs超晶格结构中量子磁隧穿传输系数的计算
3.
Influence of electron-phonon interaction on single electron tunneling in a quantum dot molecule;
电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响
6) Tunnel
[英]['tʌnl] [美]['tʌnḷ]
隧穿
1.
The current voltage characterization of a standard double barrier tunneling junctions(DBTJ) which forms room temperature single electron devices is computed by means of time dependent Schrdinger equation.
对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型 ,利用含时薛定谔方程的求解 ,计算了其隧穿电流与偏压的关系 。
2.
In this letter, the current-voltage characteriazation of a standard tunneling junctions which forms room temperature single electron devices is computed by the solution of Schrodinger equation using WKB method.
本文对形成室温单电子现象的典型隧道结结构模型利用 WKB方法求解薛定谔方程计算其隧穿电流与偏压的关系。
3.
In this letter,the current voltage characteristic of a standard double barrier tunneling junctions (DBTJ),which forms room temperature single electron devices,is computed by solving the time dependent Schr[AKo¨D]dinger equation.
对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其隧穿电流与偏压的关系 。
补充资料：相干散射和非相干散射
再辐射的光量子频率和被吸收的光量子频率准确相等的散射过程称为相干散射。在相干散射的情况下，源函数准确地等于平均辐射强度。再辐射的光量子频率和被吸收的光量子频率不相等的散射过程称为非相干散射。在天体物理中，存在一系列因素使散射过程成为非相干散射。主要的因素是：原子的能级有一定的宽度、原子的热运动和湍动以及压力效应等。对于非相干散射，源函数是相当复杂的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条