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1)  C-doped TiO2
C掺杂TiO2
1.
First-principles calculations were carried out to investigate the energies and defect structures of C-doped TiO2rutile.
使用第一性原理方法,计算了C掺杂TiO2材料的缺陷结构与能量,分析了在不同晶体生长环境下C掺杂TiO2晶体中的缺陷稳定性变化规律。
2)  Doped titania
掺杂TiO2
3)  Fe-doped TiO_2
铁掺杂TiO2
4)  Zn-doped TiO_2
锌掺杂TiO2
5)  yttrium doping titania
钇掺杂TiO2
6)  copper-doped TiO_2
铜掺杂TiO2
补充资料:CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式:
CAS号:

性质:在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存,性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅,加入少量改性添加剂,经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品,也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙,用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等,以确保两晶相共存。主要介电性能为:介电常数80~110,介质损耗角正切值(0.8~2.5)×10-4,介电常数温度系数(-450~+550)×10-6/℃。抗电温度(45~55)kV/mm,电阻率(1011~1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。

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