1) Ga_(1-x)Mn_xN
Mn掺杂GaN
1.
The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga_(1-x)Mn_xN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals.
计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大。
2) Si doped GaN
Si掺杂GaN
5) O and Mn co-doping GaN
O和Mn共掺GaN
6) Si and Mn co-doped GaN
Si和Mn共掺GaN
1.
First principle study of Mg,Si and Mn co-doped GaN
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条