1) negative impedance transistor
负阻晶体管
1.
In view of the features of the negative impedance transistor NEGIT,the photo negative impedance transistor PNEGIT has been designed and fabricated.
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０。
2) BNRT
双向负阻晶体管
1.
Three terminal characteristics of negative resistance transistor (BNRT) is investigated.
对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 。
3) photo negative impedance transistor (PNEGIT)
光电负阻晶体管
4) transistor negative resistance
晶体管负电阻
5) PBNRT
光电双向负阻晶体管
1.
The photo-bidirectional negative resistance transistor (PBNRT) is a novel “S” type photoelectric negative resistance device.
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 。
2.
By means of photo sensitization a photo bidirectional negative resistance transistor (PBNRT) have been designed and fabricated for the first time.
首次对双向负阻晶体管 (BNRT)进行了光敏化 ,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件———光电双向负阻晶体管 (PBNRT)。
6) 3-terminal BNRT
三端双向负阻晶体管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条