1) auger branching ratio
俄歇分支率
2) Auger analysis
俄歇分析
1.
Using the diffusion of galium in SiO_2/Si series,Auger analysis of gallium-diffused silicon wafer is made.
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 。
2.
The arsenic layer of about 10nm deposited on the bubble surface of GaAs that was grown under microgravity condition has been measured by Auger analysis.
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。
3) Auger spectroscope
俄歇分光镜
4) Auger transition probability
俄歇跃迁机率
5) Auger quantitative anaysis
俄歇定量分析
6) Auger lineshape analysis
俄歇峰形分析
1.
Auger lineshape analysis is employed in the study of chemical and electronic states of GaAs/Si interface.
利用俄歇峰形分析技术对GaAs/Si界面的化学态和电子态进行了研究。
补充资料：俄歇产额
分子式：
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
CAS号：
性质：俄歇电子数与同一时间内产生的轨道电子空穴数之比，等于1-ω，其中ω为荧光产额。如果不存在俄歇效应，则荧光产额ω始终为1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条