1) avalanche model
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雪崩击穿模型
2) avalanche breakdown mode
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雪崩击穿模式
3) avalanche breakdown
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雪崩击穿
1.
The simulation analysis indicates that with this structure the avalanche breakdown voltage of RF power transistors can be increased to be over 90% of that for an ideal parallel .
模拟分析表明 ,采用该结构 ,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的 90 %以上 ,器件的大电流特性和频率特性也有所改进 。
5) avalanche mode
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雪崩模型
6) Tube avalanche breakdown
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管道雪崩击穿
补充资料:雪崩击穿(avalanchebreakdown)
雪崩击穿(avalanchebreakdown)
当反向偏压很大时,势垒区中的电场很强,因而通过势垒区的电子和空穴可以在电场作用下获得很大的动能,当能量足够大时,和晶格碰撞而使价带电子激发到导带,产生新的电子-空穴对,这种现象称为“碰撞电离”。新生的电子-空穴以及原有的电子和空穴,在电场作用下,又可重新获得足够的能量,再次和晶格碰撞而产生电子-空穴对。如此继续下去,载流子增加犹如“雪崩”的特性,称为载流子倍增效应。由于倍增效应,使反向电流迅速增加从而发生击穿,这就是雪崩击穿的机理。雪崩击穿除与势垒区中电场有关外,还与势垒区宽度有关。势垒区宽的易发生雪崩击穿。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条